买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种制造半导体器件的方法和垂直叠置半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451207B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411610448.5，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种制造半导体器件的方法和垂直叠置半导体器件是由殷华湘;张青竹;曹磊;姚佳欣设计研发完成，并于2024-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种制造半导体器件的方法和垂直叠置半导体器件在说明书摘要公布了：本公开提供了一种制造半导体器件的方法和垂直叠置半导体器件，可以应用于半导体技术领域。该制造方法包括：在衬底上设置在竖直方向上叠置的下部场效应晶体管和上部场效应晶体管；衬底的上表面与下部场效应晶体管中最下层栅堆叠的下表面和源漏层的下表面相接；在下部场效应晶体管中栅堆叠显露的下表面和源漏层显露的下表面形成全硅化物层；对全硅化物层进行构图，以形成显露下部场效应晶体管中最下层栅堆叠下表面的开口，同时形成在开口在第一方向上的两侧与下部场效应晶体管中源漏层的下表面相接的硅化层图案；在开口内填充电介质材料，从而将填充在开口内的电介质材料用作栅堆叠的下部隔离层；设置与硅化层图案相接的接触孔。

本发明授权一种制造半导体器件的方法和垂直叠置半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括： 在衬底上设置在竖直方向上叠置的下部场效应晶体管和上部场效应晶体管，以及介于所述下部场效应晶体管和所述上部场效应晶体管之间的器件间隔离层，其中，所述下部场效应晶体管和所述上部场效应晶体管各自包括：在竖直方向上彼此间隔开地叠置的多个沟道层；在所述多个沟道层在第一方向上的两侧与所述沟道层相接的源漏层；栅堆叠，在与所述第一方向相交的第二方向上延伸，并围绕所述沟道层；所述衬底的上表面与所述下部场效应晶体管中最下层栅堆叠的下表面和源漏层的下表面相接； 对所述衬底进行刻蚀，从而显露所述下部场效应晶体管中最下层栅堆叠的下表面和源漏层的下表面； 在所述下部场效应晶体管中栅堆叠显露的下表面和源漏层显露的下表面形成全硅化物层； 对所述全硅化物层进行构图，以去除位于所述下部场效应晶体管中最下层栅堆叠下表面的全硅化物层，从而形成显露所述下部场效应晶体管中最下层栅堆叠下表面的开口，同时形成在所述开口在所述第一方向上的两侧与所述下部场效应晶体管中源漏层的下表面相接的硅化层图案； 在所述开口内填充电介质材料，从而将填充在所述开口内的电介质材料用作栅堆叠的下部隔离层； 设置与所述硅化层图案相接的接触孔。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。