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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种非易失奥式阈值开关存储器的操作方法及其操作设备、存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119479724B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411451034.2，技术领域涉及：G11C11/4074；该发明授权一种非易失奥式阈值开关存储器的操作方法及其操作设备、存储系统是由童浩;温晋宇;缪向水设计研发完成，并于2024-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种非易失奥式阈值开关存储器的操作方法及其操作设备、存储系统在说明书摘要公布了：本发明属于信息存储相关技术领域，其公开了一种非易失奥式阈值开关存储器的操作方法及其操作设备、存储系统，方法包括写入操作和读取操作；写入操作包括：当需要将复位逻辑状态改写为任一置位逻辑状态时，施加待写入逻辑状态所对应的正向导通电压脉冲，当需要将任一置位逻辑状态改写为复位逻辑状态时，施加待写入逻辑状态所对应的负向导通电压脉冲；当需要任一置位逻辑状态改写为另一置位逻辑状态时，先施加负向导通电压脉冲，再施加待写入逻辑状态所对应的正向导通电压脉冲；读取操作包括：施加相同的亚阈值电压，读取其电流或电阻以识别其所存入的逻辑状态。基于以上写入与读取操作，可以实现存储器的多值存储，实现逻辑态数的扩展。

本发明授权一种非易失奥式阈值开关存储器的操作方法及其操作设备、存储系统在权利要求书中公布了：1.一种非易失奥式阈值开关存储器的操作方法，其特征在于，包括写入操作和读取操作； 所述写入操作包括：获取待写入的逻辑状态，根据映射关系向对应的存储器施加导通电压脉冲；所述映射关系至少约定三种不同的逻辑状态及其对应的导通电压脉冲，不同的逻辑状态对应不同的导通电压脉冲，其中一种逻辑状态作为复位逻辑状态且对应负向导通电压脉冲，剩余的逻辑状态为置位逻辑状态且不同的置位逻辑状态对应不同幅值的正向导通电压脉冲；当需要将复位逻辑状态改写为任一置位逻辑状态时，向所述存储器施加待写入逻辑状态所对应的正向导通电压脉冲，当需要将任一置位逻辑状态改写为复位逻辑状态时，向所述存储器施加待写入逻辑状态所对应的负向导通电压脉冲；当需要任一置位逻辑状态改写为另一置位逻辑状态时，先向所述存储器施加负向导通电压脉冲，再向其施加待写入逻辑状态所对应的正向导通电压脉冲； 所述读取操作包括：向所述存储器施加相同的亚阈值电压，读取其电流或电阻以识别其所存入的逻辑状态，在相同的亚阈值电压下，具有置位逻辑状态的存储器相比于具有复位逻辑状态的存储器具有更高的电阻，且在写入操作时所施加的正向导通电压脉冲的幅值越大，所得存储器在相同的亚阈值电压下的电阻越大；所述亚阈值电压小于所述存储器在所有置位逻辑状态下的阈值电压。

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