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龙图腾网获悉北京磐芯微电子科技有限公司申请的专利闪存单元的写入方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119497383B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411548110.1，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权闪存单元的写入方法是由请求不公布姓名;石振东;蒋家勇设计研发完成，并于2024-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本闪存单元的写入方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种闪存单元的写入方法。该闪存单元包括串联连接的存储晶体管和选通晶体管。根据本公开的写入方法包括将各写入电压施加到闪存单元的各电极以及各晶体管的栅电极，其中该写入方法基于沟道热载流子注入机制，在第一写入步骤中将较低的写入电压施加到被写入的存储晶体管的栅电极，并且在第二写入步骤中将较高的写入电压施加到被写入的存储晶体管的栅电极。根据本公开的闪存单元的写入方法采用双重的沟道热载流子注入机制的写入步骤，较现有的写入方法能够减轻陷阱电荷失配效应TCME的影响，从而能够提高耐久性和保持可靠性。

本发明授权闪存单元的写入方法在权利要求书中公布了：1.一种闪存单元的写入方法，所述闪存单元包括： 衬底，包括深阱区和设置在深阱区上的阱区； 存储晶体管，设置在所述阱区上并且被配置为存储数据；以及 选通晶体管，在所述阱区上沿水平方向设置在所述存储晶体管一侧，被配置为对所述存储晶体管执行选通操作， 其中，所述存储晶体管和所述选通晶体管串联连接， 其中，所述存储晶体管的源极区连接到所述闪存单元的第一电极，所述选通晶体管的漏极区连接到所述闪存单元的第二电极， 所述写入方法包括： 第一写入步骤，通过将第一写入电压施加到所述第一电极，将第二写入电压施加到所述第二电极，将第三写入电压施加到所述存储晶体管的栅电极，以及将第四写入电压施加到所述选通晶体管的栅电极，对所述存储晶体管执行写入操作；以及 第二写入步骤，通过将所述第一写入电压施加到所述第一电极，将所述第二写入电压施加到所述第二电极，将高于所述第三写入电压的第六写入电压施加到所述存储晶体管的栅电极，以及将所述第四写入电压施加到所述选通晶体管的栅电极，对所述存储晶体管执行写入操作， 其中，所述第四写入电压等于或低于第一电源电压，所述第二写入电压等于或高于第二电源电压，所述第一写入电压高于预设电压，所述第三写入电压高于所述第一写入电压， 其中，所述第一电源电压高于所述第二电源电压， 其中，所述预设电压是根据所述衬底与所述存储晶体管的栅介质叠层之间的界面处的载流子势垒高度预先设定的， 其中，所述第一写入电压和所述第四写入电压高于所述第二写入电压，以及 其中，在所述闪存单元的写入操作期间，所述存储晶体管和所述选通晶体管均导通。

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