中国科学院微电子研究所邢国忠获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利磁性斯格明子存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119497397B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411542451.8，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权磁性斯格明子存储器是由邢国忠;刘龙;张一帆;赵之昊设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁性斯格明子存储器在说明书摘要公布了：提供一种磁性斯格明子存储器，包括：磁结构赛道，磁性隧道结，铁电背栅极。磁结构赛道包括拓扑材料层和亚铁磁层，并被构造为包含中间区域和分别由中间区域两侧延伸出的延伸部，两侧延伸部的亚铁磁层分别被反铁磁耦合钉扎在相反的磁矩方向；磁性隧道结位于所述磁结构赛道中间区域上，并被构造为用于电学读取存储器阻态变化；铁电背栅极包括铁电层和底电极，铁电背栅极位于所述磁结构赛道中间区域下；拓扑材料层注入电流时产生自旋轨道矩以调控亚铁磁层中的磁结构在亚铁磁层中移动，通过施加栅压以调整铁电层的电极化方向，从而调控拓扑材料层和亚铁磁层间界面的反对称交换作用的大小，最终使存储器工作于斯格明子模式或二值模式。
本发明授权磁性斯格明子存储器在权利要求书中公布了：1.一种磁性斯格明子存储器，包括： 磁结构赛道，包括拓扑材料层和亚铁磁层，并被构造为包含中间区域和分别由中间区域两侧延伸出的延伸部，两侧延伸部的亚铁磁层分别被反铁磁耦合钉扎在相反的磁矩方向； 磁性隧道结，位于所述磁结构赛道中间区域上，并被构造为用于电学读取存储器阻态变化； 铁电背栅极，包括铁电层和底电极，铁电背栅极位于所述磁结构赛道中间区域下； 所述拓扑材料层注入电流时产生自旋轨道矩以调控亚铁磁层中的磁结构在亚铁磁层中移动，通过施加栅压以调整铁电层的电极化方向，从而调控拓扑材料层和亚铁磁层间界面的反对称交换作用的大小，最终使存储器工作于斯格明子模式或二值模式。
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