上海华虹宏力半导体制造有限公司刘张李获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利射频开关结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119517900B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410533284.4，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权射频开关结构及其制备方法是由刘张李设计研发完成，并于2024-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本射频开关结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种射频开关结构及其制备方法，所述射频开关结构包括：SOI衬底；晶体管链，设于所述SOI衬底的正面，其包括在首端与尾端之间级联的第一至第N晶体管，所述首端连接射频输入，所述尾端接地，N为大于或等于4的整数；介质层，覆盖所述SOI衬底及所述晶体管链；设于所述介质层或所述SOI衬底背面上的第一至第N导电接地层，所述第一至第N导电接地层分别对应设于所述第一至第N晶体管的正面或背面，且所述第一至第N导电接地层暴露于对应晶体管正面或背面的面积依次增加。本发明可通过平衡射频开关结构上各晶体管的电压分布以提高射频开关结构的功率处理能力。
本发明授权射频开关结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种射频开关结构，其特征在于，包括： SOI衬底； 晶体管链，设于所述SOI衬底的正面，其包括在首端与尾端之间级联的第一至第N晶体管，所述首端连接射频输入，所述尾端接地，N为大于或等于4的整数，所述第一至第N晶体管具有相同尺寸的叉指状版图结构，所述第一至第N晶体管的栅极结构及源漏结构均沿第一方向延伸； 介质层，覆盖所述SOI衬底及所述晶体管链； 设于所述介质层或所述SOI衬底背面上的第一至第N导电接地层，所述第一至第N导电接地层分别对应设于所述第一至第N晶体管的正面或背面，且所述第一至第N导电接地层暴露于对应晶体管正面或背面的面积依次增加，所述第一至第N导电接地层均沿第二方向跨越所述第一至第N晶体管的栅极结构及源漏结构，所述第二方向与所述第一方向正交，所述第一至第N导电接地层均矩形状，所述第一至第N导电接地层沿所述第一方向的宽度依次增加。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励