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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利一种掩埋电极的深紫外LED器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119521885B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411652085.1，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权一种掩埋电极的深紫外LED器件及其制备方法是由孙晓娟;郝家龙;吕顺鹏;黎大兵;蒋科;张山丽;贲建伟;陈洋设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种掩埋电极的深紫外LED器件及其制备方法在说明书摘要公布了：一种掩埋电极的深紫外LED器件及其制备方法，包括：衬底、AlN模板、第一n‑Alx1Ga1‑x1N层、量子阱层、电子阻挡层、p‑Aly1Ga1‑y1N层、p‑AlyGa1‑yN接触层、n型电极接触层、n型电极pad层、p型电极接触层、p型电极pad层、钝化层、掩埋金属电极和第二n‑Alx1Ga1‑x1N层。该器件通过在第一n‑Alx1Ga1‑x1N层和第二n‑Alx1Ga1‑x1N层中掩埋金属电极，充当n型电极接触层与台面之间的电流高速传输通道，增加电流分布的均匀性，提高光效，并对多晶状n‑Alx1Ga1‑x1N进行处理，形成多孔结构作为DBR反射镜，增加光提取，进一步提高光效。

本发明授权一种掩埋电极的深紫外LED器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.掩埋电极的深紫外LED器件，其特征在于，包括： 衬底1； AlN模板2，固定于衬底1的一侧； 第一n-Alx1Ga1-x1N层3，固定于所述AlN模板2上远离所述衬底1的一侧； 掩埋金属电极14，固定于所述第一n-Alx1Ga1-x1N层3远离所述衬底1的一侧； 第二n-Alx1Ga1-x1N层15，固定于所述掩埋金属电极14远离所述衬底1的一侧，且与掩埋金属电极14接触的第二n-Alx1Ga1-x1N层15的一侧呈现多晶状，并具有若干个孔； 量子阱层4，固定于所述第二n-Alx1Ga1-x1N层15远离所述衬底1的一侧； 电子阻挡层5，固定于所述量子阱层4远离所述衬底1的一侧； p-Aly1Ga1-y1N层6，固定于所述电子阻挡层5远离所述衬底1的一侧； p-Aly2Ga1-y2N接触层7，固定于所述p-Aly1Ga1-y1N层6远离所述衬底1的一侧，所述电子阻挡层5、p-Aly1Ga1-y1N层6、p-Aly2Ga1-y2N接触层7中的Al组分递减； n型电极接触层8，固定于所述掩埋金属电极14远离所述衬底1的一侧，且与第二n-Alx1Ga1-x1N层15间隔设置； n型电极pad层9，固定于所述n型电极接触层8远离所述衬底1的一侧； p型电极接触层10，固定于所述p-Aly2Ga1-y2N接触层7远离所述衬底1的一侧； p型电极pad层11，固定于所述p型电极接触层10远离所述衬底1的一侧； 钝化层12，固定于所述掩埋金属电极14、第二n-Alx1Ga1-x1N层15、量子阱层4、电子阻挡层5、p-Aly1Ga1-y1N层6、p-Aly2Ga1-y2N接触层7、n型电极接触层8和p型电极接触层10接触空气的表面。

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