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龙图腾网获悉华东理工大学申请的专利一种MXene@BN异质结构导热填料及其环氧复合材料以及它们的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119529388B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411867158.9，技术领域涉及：C08K9/04；该发明授权一种MXene@BN异质结构导热填料及其环氧复合材料以及它们的制备方法是由张衍;张洪强;刘育建设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MXene@BN异质结构导热填料及其环氧复合材料以及它们的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种MXene@BN异质结构导热填料及其环氧复合材料的制备方法，通过阳离子和阴离子改性剂分别改性氮化硼和MXene纳米片，利用静电自组装构建异质结构填料。将该填料应用于环氧树脂中，制备出的MXene@BN环氧复合材料展现出优异的热导率和电绝缘性。本发明的方法制备工艺简便、高效，适用于大规模工业化生产，能够在低填料负载下实现高热导率与优异电绝缘性能的平衡，为电子封装领域提供了创新的高效散热解决方案。

本发明授权一种MXene@BN异质结构导热填料及其环氧复合材料以及它们的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MXene@BN异质结构导热填料的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 1采用阳离子改性剂对氮化硼纳米片进行改性，按照氮化硼纳米片：阳离子改性剂的质量比为1～10:1的比例，将氮化硼纳米片加入阳离子改性剂的水溶液中，改性温度为15～50℃，改性时间为6～36h，得到表面带正电荷的改性氮化硼纳米片； 2采用阴离子改性剂对MXene纳米片进行改性，按照MXene纳米片：阴离子改性剂的质量比为1～10:1的比例，将MXene纳米片加入到阴离子改性剂的水溶液中，改性温度为15～50℃，改性时间为6～36h，得到表面带负电荷的改性MXene纳米片； 3按照改性氮化硼纳米片：改性MXene纳米片的质量比为10～100:1的比例将二者进行静电自组装，静电自组装的温度为10～50℃，得到.MXene@BN异质结构导热填料； 其中，所述的MXene纳米片是这样制备的： 将浓盐酸和蒸馏水按照体积比为2～4:1的配比配成溶液，搅拌混合均匀后加入氟化锂，其中氟化锂和浓盐酸的质量比为1：10～20，将Ti3AlC2缓慢加入上述溶液，在30～50℃的温度下搅拌1～2天，其中Ti3AlC2和氟化锂的质量比为1：1～2；反应结束后倒入离心管中震荡摇匀，离心5～8分钟倒出上清液，往离心管中加入1M的盐酸重复上述离心步骤3～5次后倒出上清液，往离心管中加入适量蒸馏水重复上述离心步骤5～7次后倒出上层液，收集底部沉淀物加入适量蒸馏水在氮气氛围下室温超声40～70分钟，将上述混合液离心10～15分钟后取上层液，冷冻干燥后得到MXene纳米片。

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