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龙图腾网获悉北京磐芯微电子科技有限公司申请的专利闪存单元的擦除方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119545798B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411548111.6，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权闪存单元的擦除方法是由请求不公布姓名;石振东;蒋家勇设计研发完成，并于2024-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本闪存单元的擦除方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种闪存单元的擦除方法。该闪存单元包括串联连接的存储晶体管和选通晶体管。根据本公开的擦除方法包括将各擦除电压施加到闪存单元的各电极以及各晶体管的栅电极，其中施加到被擦除的存储晶体管的栅电极的擦除电压低于第二电源电压，从而发生沟道热电子诱导热空穴注入物理效应，以将在沟道中的热空穴吸引到存储介质层中以实现擦除。本公开的闪存单元的擦除方法较之现有的带带隧穿热空穴BBHH擦除方法具有更宽的空穴分布和更高的注入效率，使得根据本公开的擦除方法具有更高的擦除速度、更大的擦除窗口、更小的热载流子损伤、更低的漏电流以及更高的耐久可靠性。

本发明授权闪存单元的擦除方法在权利要求书中公布了：1.一种闪存单元的擦除方法，所述闪存单元包括： 衬底和设置在所述衬底内的阱区； 存储晶体管，设置在所述阱区上并且被配置为存储数据；以及 选通晶体管，在所述阱区上沿水平方向设置在所述存储晶体管一侧，被配置为所述存储晶体管执行选通操作， 其中，所述选通晶体管和所述存储晶体管串联连接， 其中，所述存储晶体管的源极区连接到所述闪存单元的第一电极，所述选通晶体管的漏极区连接到所述闪存单元的第二电极， 所述擦除方法包括： 通过将第二电源电压施加到所述阱区，将第一擦除电压施加到所述第一电极，将第二擦除电压施加到所述第二电极，将第三擦除电压施加到所述存储晶体管的栅电极，以及将第四擦除电压施加到所述选通晶体管的栅电极，对所述存储晶体管执行擦除操作， 其中，所述第一擦除电压高于预设电压，所述第二擦除电压等于或高于所述第二电源电压，所述第三擦除电压等于或低于所述第二电源电压，并且第四擦除电压等于或低于第一电源电压， 其中，所述第一电源电压高于所述第二电源电压， 其中，所述预设电压是根据所述衬底与所述存储晶体管的栅介质叠层之间的界面处的载流子势垒高度预先设定的，以及 其中，所述第一擦除电压和所述第四擦除电压高于所述第二擦除电压，使得所述存储晶体管和所述选通晶体管均导通。

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