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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利量子阱激光器外延结构及量子阱激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119560888B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311126015.8，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权量子阱激光器外延结构及量子阱激光器是由余红光;牛智川;杨成奥;徐应强;张宇;倪海桥;陈益航;王天放;石建美设计研发完成，并于2023-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本量子阱激光器外延结构及量子阱激光器在说明书摘要公布了：本公开提供一种量子阱激光器外延结构及量子阱激光器，外延结构包括：依次叠加的衬底、缓冲层、下包层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、上包层和接触层；其中，下包层用于限制激光向第一方向泄露，上包层用于限制激光向第二方向泄露；下波导层的带隙宽度介于下包层与量子阱有源区之间，且下波导层的带隙宽度大于量子阱有源区的带隙宽度，下波导层的折射率大于下包层的折射率；以及量子阱有源区包括一个或多个相互交叠设置的量子阱层和啁啾势垒，啁啾势垒用于反射电子和空穴，以限制电子和空穴在量子阱层复合发光。本公开的外延结构增强了电子空穴的相互作用，可以提高光学增益，以及减小器件阈值电流、提高特征温度。

本发明授权量子阱激光器外延结构及量子阱激光器在权利要求书中公布了：1.一种量子阱激光器外延结构，其特征在于，包括： 依次叠加的衬底、缓冲层、下包层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、上包层和接触层； 其中，所述下包层用于限制激光向第一方向泄露，所述上包层用于限制激光向第二方向泄露； 所述下波导层的带隙宽度介于所述下包层与所述量子阱有源区之间，且所述下波导层的带隙宽度大于所述量子阱有源区的带隙宽度，所述下波导层的折射率大于所述下包层的折射率； 所述上波导层的带隙宽度，介于所述上包层与所述量子阱有源区之间，且所述上波导层的带隙宽度大于所述量子阱有源区的带隙宽度，所述上波导层的折射率大于所述上包层的折射率；以及 所述量子阱有源区包括一个或多个相互交叠设置的量子阱层和啁啾势垒，所述啁啾势垒用于反射量子阱层中的电子和空穴，以限制电子和空穴在所述量子阱层复合发光； 其中，所述啁啾势垒包括：短周期超晶格和薄层体材料；其中，所述短周期超晶格的的周期数为3~5，所述薄层体材料的厚度为5~20nm； 所述短周期超晶格包括：以任意顺序相互叠加的铟砷层、铝锑层和镓锑层；所述薄层体材料为Al0.25~0.5GaAsSb。

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