西安电子科技大学谢敏获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利回音壁模式微腔激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119581995B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411580746.4，技术领域涉及：H01S5/10；该发明授权回音壁模式微腔激光器及其制备方法是由谢敏;何吉海;祝杰杰;马晓华;郝跃设计研发完成，并于2024-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本回音壁模式微腔激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种回音壁模式微腔激光器及其制备方法，该激光器从下至上依次包括GaN衬底、场氧隔离层、空穴传输层、绝缘层以及透明导电层，在GaN衬底的上表面设置有回音壁模式微腔，在透明导电层的上表面和GaN衬底上表面还分别设置有第一电极和第二电极。本发明采用第一电极及透明导电层‑绝缘层‑GaN衬底这样的MIS结构，制备工艺及结构简单，空穴传输层能够提高器件工作时的少子空穴注入量，从而显著降低器件的开启电压；并且本发明还能实现激射功能。
本发明授权回音壁模式微腔激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种回音壁模式微腔激光器，其特征在于，包括： GaN衬底，所述GaN衬底上表面的预设有源区内设置有回音壁模式微腔； 场氧隔离层，所述场氧隔离层设置在所述GaN衬底的上表面并覆盖所述回音壁模式微腔的侧面； 空穴传输层，所述空穴传输层设置在所述场氧隔离层的上表面及所述回音壁模式微腔的上表面； 绝缘层，所述绝缘层设置在所述空穴传输层的上表面，其中，在所述绝缘层的上表面，所述预设有源区的一侧设置有贯穿所述绝缘层、所述空穴传输层及所述场氧隔离层的凹槽； 透明导电层，所述透明导电层设置在所述绝缘层上表面的预设有源区内； 第一电极，所述第一电极设置在所述透明导电层的部分上表面并延伸至所述预设有源区另一侧的绝缘层上； 第二电极，所述第二电极设置在所述凹槽中并延伸至所述绝缘层上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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