西安隆基乐叶光伏科技有限公司杨亚娣获国家专利权
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龙图腾网获悉西安隆基乐叶光伏科技有限公司申请的专利太阳能电池及光伏组件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119584724B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411546430.3,技术领域涉及:H10F77/70;该发明授权太阳能电池及光伏组件是由杨亚娣;亢磊;李大伟;赵赞良;平飞林设计研发完成,并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池及光伏组件在说明书摘要公布了:本申请提供一种太阳能电池及光伏组件,属于太阳能电池技术领域。该太阳能电池包括:半导体基底;遂穿氧化层,位于半导体基底的至少一表面;掺杂多晶硅层,位于遂穿氧化层的远离半导体基底的一面;其中,掺杂多晶硅层的远离遂穿氧化层的至少一部分表面上具有含硅凸起颗粒。本申请提供的光伏组件包括上述的太阳能电池。本申请通过在掺杂多晶硅层的远离遂穿氧化层的至少一部分表面上形成有含硅凸起颗粒,以提高太阳能电池的至少一表面的陷光效果,进而提升太阳能电池的双面率。
本发明授权太阳能电池及光伏组件在权利要求书中公布了:1.一种太阳能电池,其特征在于,包括: 半导体基底1; 遂穿氧化层2,位于所述半导体基底1的至少一表面,所述至少一表面包括太阳能电池的背面; 掺杂多晶硅层3,位于所述遂穿氧化层2的远离所述半导体基底1的一面; 钝化减反射层,位于所述掺杂多晶硅层3的远离所述半导体基底1的表面; 其中,所述掺杂多晶硅层3的远离所述遂穿氧化层2的至少一部分表面上具有含硅凸起颗粒; 所述含硅凸起颗粒的高度大于所述钝化减反射层的厚度,和或,所述含硅凸起颗粒的高度小于所述钝化减反射层的厚度的3倍。
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