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龙图腾网获悉山东浪潮华光光电子股份有限公司申请的专利一种稳压二极管芯片制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119603978B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411582978.3，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种稳压二极管芯片制作方法是由李法健;吴金凤;吴向龙设计研发完成，并于2024-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种稳压二极管芯片制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种稳压二极管芯片制作方法，属于电子配件领域。本发明中金属采用的镀镍和银的方法，增加了金属各层之间的粘附性，不易脱落，提高了可焊性、均匀性。采用扩散硅片的方法，只采用一次光刻，大大降低了成本。另外，本发明采用的玻璃粉进行玻璃钝化，该配方的玻璃粉在受到高温后更容易快速的熔化，避免熔化不均匀造成厚度不一致，导致玻璃层出现龟裂纹，提高了玻璃钝化的均匀性，在PN结面积增大的同时更好的保护了PN结，避免了漏电不良率，提高了工作电流。本发明采用正面紫外激光去除沟槽的玻璃进行开槽和背面红外的进行开槽，再进行裂片的方式，大大减少了切割过程的损失和对玻璃钝化层的破坏，有效的提高了产品产出率和良率。

本发明授权一种稳压二极管芯片制作方法在权利要求书中公布了：1.一种稳压二极管芯片制作方法，其特征在于，包括如下步骤； 1清洗硅片表面杂质，将硅片进行两次清洗后烘干； 2高温氧化，在硅片表面生成一层SiO2薄膜； 3单面甩光刻胶，进行单面去氧化层、去光刻胶、清洗； 4N型掺杂磷源扩散：晶片与磷纸左右相间放置，依次排列压紧，在碳化硅平板舟平放，推进扩散炉进行源扩散； 5扩散后晶片分割：通过酸腐蚀过程，实现高温形成的硼硅玻璃或磷硅玻璃溶解，晶片分离，消除晶片表面玻璃结晶，硅晶片表面实现洁净，无异物； 6去氧化层清洗：把晶片放氧化层腐蚀液浸泡，在显微镜下观察光刻线内氧化层去干净； 7高压喷砂，调整硅晶片厚度，并去除晶片表面氧化层、表面颗粒； 8P型掺杂硼源扩散：晶片磷面对磷面，空面夹1张硼纸，依次左右排列压紧，在碳化硅平板舟上平放，下面放硅盲片，表面压1cm的超厚硅压片，推进扩散炉进行源扩散； 9晶片分割、双面喷砂、去氧化层清洗； 10进行一次光刻，曝光显影的方式在晶片表面形成图形，实现局部保护，达到定域加工目的； 11进行开槽：打开开沟机，将晶片放入混酸槽中按摇臂键开始在扩散磷的一面开子线槽沟，在X和Y方向进行开槽形成“+”形沟槽，形成PN结； 12涂玻璃粉进行玻璃钝化：将清洗好的晶片开沟面朝上，放入吸盘上，吸盘吸住晶片底部；用涂粉勺取1mL玻璃粉于晶片带沟槽的一面上，用刮板摊匀，刮粉时顺着芯片的排列角度45度角将玻璃浆刮入晶片沟槽中，晶片装入石英舟，推入玻璃烧结炉进行玻璃钝化； 13将已完成钝化的晶片依次放入花篮，放入5:1氢氟酸溶液浸泡5秒，溢流冲水4分钟，再次将晶片放入混酸中浸泡1秒钟，取出溢流冲水4分钟，放入热清洗液超声清洗10-15分钟，上下晃动花篮不少于10次；放入纯水溢流超声清洗10-15分钟，上下晃动花篮不少于10次； 14将2000ml镍液与4000ml的50-70°的热去离子水倒入镀镍缸并加热至95℃±5℃，再加入氨水，用PH试纸测试镍液PH值8.5，将花篮放入镀镍缸中进行金属镀镍，在镀镍过程中不断上下晃动花篮，时间60-120秒，溢流冲水5-15分钟，100-200rpms甩干，烘箱100-200℃30-60分钟烘干； 15进行晶圆切割，利用紫外激光划片机进行玻璃钝化面开槽，利用红外划片机进行背面开槽，借助裂片机进行劈裂，分割成一颗颗芯片； 16进行管芯镀银：根据镀银液配方，在电极表面镀银层，增加电极厚度，提高电极可焊性。

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