湘能华磊光电股份有限公司徐平获国家专利权
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龙图腾网获悉湘能华磊光电股份有限公司申请的专利紫外发光二极管制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119604094B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411526694.2，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权紫外发光二极管制作方法是由徐平;季辉;许亚兵;周佐华设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本紫外发光二极管制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种紫外发光二极管制作方法，依次包含：对衬底进行脱附处理、在衬底上生长AlN缓冲层、制作AlN缓冲层图案、退火处理、氨化处理、生长AlN模板层、生长BN层、生长BGaN层、生长AlGaN过渡层、生长AlGaN多量子阱层以及AlGaN保护层，形成完全结构的发光二极管外延片。本申请通过在LED内部形成金属极性和氮极性交替生长结构来提升发光二极管的发光强度，同时通过氨化处理和引入BN层和BGaN层来提升材料晶体质量，从而进一步提高LED的发光效率，并增强抗静电能力。
本发明授权紫外发光二极管制作方法在权利要求书中公布了：1.一种紫外发光二极管制作方法，其特征包含以下步骤： 步骤一、将衬底放入MOCVD反应室中进行脱附处理； 步骤二、在衬底上生长AlN缓冲层； 步骤三、将生长有AlN缓冲层的衬底进行光刻和干法蚀刻，其中有光刻胶保护的区域，AlN缓冲层保持完整，没有光刻胶覆盖的区域，AlN缓冲层被完全去除，最终在衬底上形成AlN缓冲层图案； 步骤四、将形成有AlN缓冲层图案的衬底重新放入MOCVD反应室中先在H2氛围中进行退火处理，随后在NH3气氛下进行氨化处理，其中氨化处理过程中控制温度从1020℃渐变增加至1060℃； 步骤五、在衬底和AlN缓冲层图案上生长AlN模板层形成金属极性和氮极性交替生长结构，其中在AlN缓冲层图案上生长的AlN模板层具有金属极性，而在衬底上直接生长的AlN模板层具有氮极性； 步骤六、在AlN模板上依次生长BN层和BGaN层，以缓解晶格失配或者热失配造成的应力和缺陷； 步骤七、在BGaN层上依次生长AlGaN过渡层、AlGaN多量子阱层以及AlGaN保护层，形成完全结构的发光二极管外延片。
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