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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利自旋突触器件及存内计算装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119604182B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411541527.5，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权自旋突触器件及存内计算装置是由邢国忠;林淮;王迪;刘龙;张一帆;罗庆;李泠设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本自旋突触器件及存内计算装置在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种自旋突触器件及存内计算装置。该自旋突触器件包括：衬底；以及，在衬底上由下至上形成的底电极层、复杂氧化物体系层、磁性存储层和顶电极层，磁性存储层连接有导电结构层，磁性存储层通过顶电极层和导电结构层与外围电路连接；其中，在复杂氧化物体系层的界面有二维电子气区，在磁性存储层接收外围电路的读写电压的情况下，磁性存储层用于产生自旋流，自旋流注入复杂氧化物体系层改变二维电子气区的二维电子气密度，使磁性存储层完成数据的读取或写入。从而提升器件读取的可靠性的效果。

本发明授权自旋突触器件及存内计算装置在权利要求书中公布了：1.一种自旋突触器件，其特征在于，包括： 衬底；以及，在所述衬底上由下至上依次形成的底电极层、复杂氧化物体系层、磁性存储层和顶电极层，所述磁性存储层连接有导电结构层，所述磁性存储层通过顶电极层和导电结构层与外围电路连接； 其中，所述磁性存储层包括在所述复杂氧化物体系层上由下至上依次形成的重金属层和磁性层，所述重金属层在相反的第一方向和第二方向上延伸，超出所述磁性层在第一方向和第二方向上的边界；所述导电结构层包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层与所述重金属层在第一方向上超出所述复杂氧化物体系层部分相连，所述第二导电层与所述重金属层在第一方向上超出所述复杂氧化物体系层部分相连；所述复杂氧化物体系层从上往下依次包括第一复杂氧化物层、在界面处形成的二维电子气区以及第二复杂氧化物层； 在所述复杂氧化物体系层的界面有二维电子气区，在所述磁性存储层接收外围电路的读写电压的情况下，所述磁性存储层用于产生自旋流，所述自旋流注入所述复杂氧化物体系层改变所述二维电子气区的二维电子气密度，使所述磁性存储层完成数据的读取或写入。

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