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龙图腾网获悉国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司申请的专利波导结构及其制备方法、层间耦合器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119620294B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510062223.9，技术领域涉及：G02B6/13；该发明授权波导结构及其制备方法、层间耦合器件及其制备方法是由刘敬伟;李超;李春龙;周良;蔡丰任;张彦乐;花晓强设计研发完成，并于2025-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本波导结构及其制备方法、层间耦合器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光学器件技术领域，公开了波导结构及其制备方法、层间耦合器件及其制备方法。波导结构的制备方法包括：在衬底层上形成第一下包层；第一下包层形成包括第一条形槽和第一渐缩槽的第一凹槽，第一渐缩槽的截面宽度逐渐减小且逐渐趋近于预设宽度；在第一下包层上共形形成具有第二凹槽的第二下包层，第二凹槽伸入第一凹槽，包括第二条形槽和第二渐缩槽，第二渐缩槽的截面宽度逐渐减小且逐渐趋近于零；在第二凹槽内形成与第二凹槽共形的波导芯。本发明利用所提出的波导结构的制备方法形成的层间耦合器件，能够提高耦合效率和集成度，降低传输损耗，且无需高分辨率的光刻工艺。

本发明授权波导结构及其制备方法、层间耦合器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种波导结构的制备方法，其特征在于，包括： 在衬底层上形成第一下包层； 在所述第一下包层中背离所述衬底层的一侧形成第一凹槽，所述第一凹槽包括相连通的第一条形槽和第一渐缩槽，自与所述第一条形槽连接的一端朝向远离所述第一条形槽的一端的方向上，所述第一渐缩槽的截面宽度逐渐减小，且逐渐趋近于预设宽度； 在所述第一下包层背离所述衬底层的一侧共形形成第二下包层，所述第二下包层具有伸入至所述第一凹槽的第二凹槽，所述第二凹槽包括相连通的第二条形槽和第二渐缩槽，自与所述第二条形槽连接的一端朝向远离所述第二条形槽的一端的方向上，所述第二渐缩槽的截面宽度逐渐减小，且逐渐趋近于零；所述第二下包层与所述第一下包层的材料相同； 在所述第二凹槽内形成波导芯，包括：在所述第二下包层背离所述衬底层的一侧表面整面形成第一初始波导层，所述第一初始波导层在所述第二凹槽内的厚度大于等于所述第二凹槽的深度；研磨去除凸出于所述第二凹槽的端口的部分所述第一初始波导层，以得到位于所述第二凹槽内且与所述第二凹槽端口齐平的波导芯，所述波导芯包括条形部和渐缩部，自与所述条形部连接的一端朝向远离所述条形部的一端的方向上，所述渐缩部的截面宽度逐渐减小，且逐渐趋近于零。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司，其通讯地址为：101400 北京市怀柔区大中富乐村北红螺东路21号56幢1层106-15室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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