上海华力集成电路制造有限公司付嵛获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利套刻标记放置方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119620528B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510008364.2，技术领域涉及：G03F1/38；该发明授权套刻标记放置方法是由付嵛;吴鹏设计研发完成，并于2025-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本套刻标记放置方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种套刻标记放置方法，包括：步骤一、确定曝光区域中晶粒的分布结构。步骤二、根据晶粒的分布结构对各晶粒进行格点划分得到各晶粒的格点区域。步骤三、根据工艺层对光罩进行分组。步骤四、在各组工艺层对应的光罩的晶粒中选定多个格点区域作为标记放置区域并在标记放置区域中放置器件区域内套刻标记，晶粒对应的器件区域内套刻标记的排列和数量满足套刻误差的高阶补偿要求。本发明能准确模拟计算器件区域的高阶修正套刻误差的补值，从而能防止对曝光区域内部套刻误差的高阶补偿参数产生误补偿，提高产品特别是大尺寸晶粒产品的良率。
本发明授权套刻标记放置方法在权利要求书中公布了：1.一种套刻标记放置方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤一、确定曝光区域中晶粒的分布结构； 步骤二、根据所述晶粒的分布结构对各所述晶粒进行格点划分得到各所述晶粒的格点区域； 步骤三、根据工艺层对光罩进行分组； 步骤四、在各组所述工艺层对应的所述光罩的所述晶粒中选定多个所述格点区域作为标记放置区域并在所述标记放置区域中放置器件区域内套刻标记，所述晶粒对应的所述器件区域内套刻标记的排列和数量满足套刻误差的高阶补偿要求； 步骤四之前还包括预先获得多个图例，各所述图例为对应的所述标记放置区域分布图； 所述晶粒对应的各组所述工艺层和各种所述分布结构的组合具有一个所述图例，所述图例中的所述标记放置区域分布图保证和所述图例对应的所述晶粒的套刻误差的高阶补偿满足要求； 在步骤四中，根据所述晶粒所述对应的所述工艺层和所述分布结构选择对应的所述图例来获得所述晶粒对应的所述标记放置区域的分布图。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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