东南大学聂萌获国家专利权
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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种双导电层的温度补偿型薄膜体声波谐振器及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119628593B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411693038.1，技术领域涉及：H03H9/17；该发明授权一种双导电层的温度补偿型薄膜体声波谐振器及制造方法是由聂萌;王磊设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双导电层的温度补偿型薄膜体声波谐振器及制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双导电层的温度补偿型薄膜体声波谐振器及制造方法，谐振器包括自下而上依次设置的基底、第一空腔、第一底电极、第二底电极、第二空腔、第三底电极、压电层和顶电极。其中，第一底电极、第二底电极采用热膨胀系数差异较大的导电材料。第一底电极、第二底电极、第二空腔在厚度方向的周侧设置有钝化层。第一底电极、第二底电极、第二空腔与第三底电极形成了平行板电容，当环境温度发生变化时，第一底电极与第二底电极由于热膨胀系数的差异产生凹陷或突起，进而改变平行板之间的间距，导致平行板电容的容值发生变化，实现FBAR的频率补偿。本发明方法步骤简便，便于大规模制造。
本发明授权一种双导电层的温度补偿型薄膜体声波谐振器及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种双导电层的温度补偿型薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括自下而上依次设置的基底1、第一空腔2、第一底电极3、第二底电极4、第二空腔5、第三底电极6、压电层7和顶电极8；其中，所述第一空腔2嵌入在基底1上表面，所述第一空腔2与第二空腔5的边缘在厚度方向上对齐；所述第二底电极4、第二空腔5、第三底电极6构成平行板电容；所述第二空腔5、第三底电极6、压电层7和顶电极8在谐振器厚度方向上的重叠区域构成所述薄膜体声波谐振器的有效谐振区域；所述第一底电极3、第二底电极4、第二空腔5在厚度方向的周侧设置有钝化层9；所述第一底电极3与第二底电极4的材料热膨胀系数差异大于15ppmK； 所述第三底电极6的材料为声阻抗大于50兆声欧的金属材料，所述钝化层9的材料为热膨胀系数小于2ppmK且声阻抗小于20兆声欧的材料，所述第三底电极6和钝化层9的厚度满足布拉格反射条件。
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