北京量子信息科学研究院冀伟杰获国家专利权
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龙图腾网获悉北京量子信息科学研究院申请的专利基于量子点单光子源的魔角纳米腔和拓扑体腔的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119651348B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411610031.9，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权基于量子点单光子源的魔角纳米腔和拓扑体腔的制备方法是由冀伟杰设计研发完成，并于2024-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于量子点单光子源的魔角纳米腔和拓扑体腔的制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开一种基于量子点单光子源的魔角纳米腔和拓扑体腔的制备方法，包括：将基片进行预处理，基片包括：量子点层、衬底层以及位于量子点层和衬底层之间的牺牲层；采用氧等离子体处理预处理的基片；在基片的量子点层的表面旋涂光刻胶，进行曝光、显影，在光刻胶表面形成图形；通过刻蚀将光刻胶上的图形转移到量子点层；湿法腐蚀去除牺牲层，制得魔角纳米腔和拓扑体腔两种光子晶体腔。通过精细的电子束曝光剂量控制，精准的电感耦合等离子体气体组分和刻蚀速率控制以及合适的腐蚀液浓度和时间控制，实现了30‑50nm线宽的高稳定性和高重复性的光子晶体悬浮腔结构‑‑魔角纳米腔和拓扑体腔。
本发明授权基于量子点单光子源的魔角纳米腔和拓扑体腔的制备方法在权利要求书中公布了：1.基于量子点单光子源的魔角纳米腔的制备方法，其特征在于，包括： 将基片进行预处理，所述基片包括：量子点层、衬底层以及位于所述量子点层和所述衬底层之间的Al0.8Ga0.2As牺牲层； 采用氧等离子体处理所述预处理的所述基片； 在所述基片的所述量子点层的表面旋涂光刻胶，进行曝光、显影，在所述光刻胶表面形成魔角纳米腔图形； 通过刻蚀将所述魔角纳米腔图形转移到所述量子点层； 采用4%-10%的HF湿法腐蚀去除所述牺牲层，制得所述魔角纳米腔； 其中，所述Al0.8Ga0.2As牺牲层的厚度为300-1000nm； 其中，所述曝光的电压为80-150kV。
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