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龙图腾网获悉上海韦尔半导体股份有限公司申请的专利一种具有高电压快恢复二极管的制备工艺及快恢复二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653785B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311190872.4，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种具有高电压快恢复二极管的制备工艺及快恢复二极管是由乐双申;陈兆萍设计研发完成，并于2023-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有高电压快恢复二极管的制备工艺及快恢复二极管在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种具有高电压快恢复二极管的制备工艺及快恢复二极管，本申请通过对所述第三氧化层、第四氧化层及第五氧化层进行干法刻蚀直到在所述第一氧化层和第二氧化层靠近所述第三注入区的侧壁形成侧壁区，可以减少像现有技术中需要进行接触孔光刻的步骤，从而降低成本，实现具有高电压，快恢复特性的快恢复二极管。

本发明授权一种具有高电压快恢复二极管的制备工艺及快恢复二极管在权利要求书中公布了：1.一种具有高电压快恢复二极管的制备工艺，其特征在于，包括： 在晶圆上表面生长第一氧化层，并对所述第一氧化层进行光刻得到一第一开口； 在所述第一开口对应位置的晶圆上进行第一次离子注入形成具有第一掺杂类型的第一注入区； 在所述第一开口对应位置的晶圆上表面及第一氧化层的上表面生成一层第二氧化层； 对所述第一注入区一侧的第一氧化层和第二氧化层进行光刻以去除所述晶圆上表面的第一氧化层和第二氧化层，在去除第一氧化层和第二氧化层的所述晶圆上表面先生长一层第三氧化层； 在第三氧化层所在区域进行第二次离子注入形成具有第一掺杂类型的第二注入区，所述第二注入区与第一注入区具有重叠区域，其中，所述晶圆具有第二掺杂类型； 在所述第一注入区远离第二注入区的一侧对所述第一氧化层和第二氧化层进行光刻以去除所述晶圆上表面的第一氧化层和第二氧化层，在去除第一氧化层和第二氧化层的区域进行第三次离子注入形成具有第二掺杂类型的第三注入区； 对所述第三注入区进行推进处理，同时在第三注入区所在的晶圆上表面形成第四氧化层； 在所述第二氧化层、第三氧化层及第四氧化层上表面淀积一层第五氧化层； 对所述第三氧化层、第四氧化层及第五氧化层进行干法刻蚀直到在所述第一氧化层和第二氧化层靠近所述第三注入区的侧壁形成侧壁区； 在去除对所述第三氧化层、第四氧化层及第五氧化层晶圆上表面、第二氧化层上表面沉积第一金属层，并在所述第一注入区和第三注入区所在区域对应的第一金属层进行光刻形成第二开口； 在所述第一金属层上表面沉积第六氧化层，并对所述第六氧化层进行光刻以便在第一注入区所在部分区域形成第三开口，通过第三开口引出电极。

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