西安电子科技大学胡彦飞获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种垂直型4H-SiC光导开关获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653920B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411674745.6，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权一种垂直型4H-SiC光导开关是由胡彦飞;党悦心;张鑫鑫;王佳硕;杨宏设计研发完成，并于2024-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直型4H-SiC光导开关在说明书摘要公布了：本发明公开了一种垂直型4H‑SiC光导开关，包括SiC衬底、正面电极、钝化层和背面电极，正面电极位于SiC衬底的上表面，钝化层位于SiC衬底的上表面，并设置在正面电极的边缘处；背面电极位于SiC衬底的下表面；其中，正面电极包括环形电极和网状电极，网状电极设置在环形电极的内圆中并与环形电极相接；正面电极外侧下方的SiC衬底中还设有同心的若干终端保护环，且若干终端保护环的纵向投影的圆心与环形电极的纵向投影的圆心重合。该结构设计缓解了光导开关表面电场分布不均匀导致的电极附近的电场集中效应，避免器件过早击穿，成倍提高了光导开关的耐压能力；同时提高了光导开关内部电流分布的均匀性。
本发明授权一种垂直型4H-SiC光导开关在权利要求书中公布了：1.一种垂直型4H-SiC光导开关，其特征在于，包括SiC衬底1、正面电极2、钝化层3和背面电极4，所述正面电极2位于所述SiC衬底1的上表面，所述钝化层3位于所述SiC衬底1的上表面，并设置在所述正面电极2的边缘处；所述背面电极4位于所述SiC衬底1的下表面； 其中，所述正面电极2包括环形电极21和网状电极22，所述网状电极22设置在所述环形电极21的内圆中并与所述环形电极21相接； 所述正面电极2外侧下方的所述SiC衬底1中还设有同心的若干终端保护环5，且所述若干终端保护环5的纵向投影的圆心与所述环形电极21的纵向投影的圆心重合。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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