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龙图腾网获悉小华半导体有限公司申请的专利低压差线性稳压器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119690182B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411849636.3，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权低压差线性稳压器是由屠卫洁;杨建华设计研发完成，并于2024-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本低压差线性稳压器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低压差线性稳压器，总共分为三个部分，第一个部分为误差放大器，保证低压差线性稳压器的输出电压在不同负载电流下保持不变；第二部分为源跟随的电流输出级，其输出的电流分为两支，一支流给NPN三极管的基极，一支流给的二极管接法的第一NMOS管；第三部分为零点追踪部分，其原理是得到一个正比于流给NPN三极管的基极的一支电流，进而得到一个零点，其频率随负载电流增加而抬升，用来进行频率补偿。此三部分与功率NPN三极管、分压反馈电阻、以及外挂电容构成了整个电路。本发明能做到驱动电流达到安培级别，并降低了整体电路对外挂电容的等效串联电阻取值要求，扩大了外挂电容的等效串联电阻的阻值范围。

本发明授权低压差线性稳压器在权利要求书中公布了：1.一种低压差线性稳压器，其特征在于，包括误差放大器、第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4、第五PMOS管PM5、第六PMOS管PM6、第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2、第三NMOS管NM3、第四NMOS管NM4、第一电容C1、第五电阻R5、NPN三极管Q1、外挂电容CL、第六电阻R6及第七电阻R7； 所述第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4、第五PMOS管PM5的源端、NPN三极管的集电极及第五电阻R5的一端接工作电压； 所述NPN三极管Q1，其发射极作为低压差线性稳压器输出端，其基极VB接第二PMOS管PM2的漏端、第一NMOS管NM1的漏端、第一NMOS管NM1的栅端及第二NMOS管NM2的栅端； 所述外挂电容CL接在所述NPN三极管Q1的发射极同地之间； 所述第六电阻R6、第七电阻R7串接在所述NPN三极管Q1的发射极同地之间； 所述误差放大器，其负输入端接第六电阻R6同第七电阻R7的串接点，其正输入端接参考电压Vref，其输出端接第六PMOS管PM6的栅端及第一电容C1一端； 第一电容C1另一端接第五PMOS管PM5漏端及第五电阻R5另一端； 所述第六PMOS管PM6，其源端接第一PMOS管PM1的漏端、第一PMOS管PM1的栅端、第二PMOS管PM2的栅端及第三PMOS管PM3的栅端，其漏端接地； 第三PMOS管PM3的漏端接第二NMOS管NM2漏端、第三NMOS管NM3漏端、第三NMOS管NM3栅端及第四NMOS管NM4栅端； 第四PMOS管PM4，其栅漏端短接并接第五PMOS管PM5栅端及第四NMOS管NM4漏端； 第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2、第三NMOS管NM3及第四NMOS管NM4的源端接地。

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