清华大学唐建石获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利基于多忆阻器阵列的解卷积方法、装置、电子设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119691337B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411522702.6，技术领域涉及：G06F17/15；该发明授权基于多忆阻器阵列的解卷积方法、装置、电子设备及介质是由唐建石;赵涵;周衍泽;焦云锐;高滨;吴华强;钱鹤设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于多忆阻器阵列的解卷积方法、装置、电子设备及介质在说明书摘要公布了：本申请涉及信息技术领域，特别涉及一种基于多忆阻器阵列的解卷积方法、装置、电子设备及介质，其中，方法包括：获取待计算的目标数据，识别目标数据中每组数据的各个子数据；将每组数据的各个子数据分散到多忆阻器阵列的不同运算位置；在多忆阻器阵列的不同运算位置上完成卷积操作，累加不同运算位置的卷积运算结果得到目标数据中每组数据的最终卷积结果。由此，解决了相关技术中多组数据在多个忆阻器阵列上分别完成卷积加速操作，计算出来的每组卷积结果存在误差，从而影响最终的计算精度等问题。
本发明授权基于多忆阻器阵列的解卷积方法、装置、电子设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种基于多忆阻器阵列的解卷积方法，其特征在于，包括以下步骤： 获取待计算的目标数据，识别所述目标数据中每组数据的各个子数据； 将所述每组数据的各个子数据分散到多忆阻器阵列的不同运算位置，其中，所述不同运算位置包括：不同的忆阻器阵列和忆阻器阵列中不同的子阵列的至少一个； 在所述多忆阻器阵列的不同运算位置上完成卷积操作，累加所述不同运算位置的卷积运算结果得到所述目标数据中每组数据的最终卷积结果。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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