华中科技大学李渊获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种偏振敏感神经形态视觉传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730418B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411901698.4，技术领域涉及：H10F30/28；该发明授权一种偏振敏感神经形态视觉传感器及其制备方法是由李渊;欧阳德才;翟天佑设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种偏振敏感神经形态视觉传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体光电子器件领域，公开了一种偏振敏感神经形态视觉传感器及其制备方法，该偏振敏感神经形态视觉传感器，自下而上包括控制栅极、底栅介质、浮栅层、隧穿层介质、半导体沟道层，半导体沟道层上还设置有源电极和漏电极，其中，半导体沟道层为平面内各向异性的半导体沟道层。本发明通过使用平面内各向异性的半导体沟道层作为半导体沟道层，能够使器件整体实现偏振光感知功能，实现偏振敏感特性。本发明器件可以选择性地感知和处理视觉信息，避免冗余数据流入后端带来的不必要的信息加工过程对图像识别任务造成的计算载荷和干扰。
本发明授权一种偏振敏感神经形态视觉传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种偏振敏感神经形态视觉传感器，其特征在于，自下而上包括控制栅极200、底栅介质201、浮栅层202、隧穿层介质203、半导体沟道层204，所述半导体沟道层204上还设置有源电极205和漏电极206，其中， 所述隧穿层介质203除了覆盖所述浮栅层202的上表面外，还覆盖了所述浮栅层202的四周侧面； 所述半导体沟道层204为平面内各向异性的半导体沟道层，包括平面内各向异性二维层状半导体材料单晶、条带图案化的平面内各向同性二维层状半导体材料单晶和条带图案化的平面内各向异性二维层状半导体材料单晶中的一种；条带图案为等间距分布且等宽的条带状； 所述底栅介质201是采用二氧化硅SiO2、二氧化锆ZrO2、二氧化铪HfO2中的一种或几种； 所述浮栅层202为导体，厚度为5-15nm； 所述隧穿层介质203为绝缘体，厚度为10-20nm。
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