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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利OPC修正方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119758660B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510039608.3，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权OPC修正方法是由付欣欣设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本OPC修正方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种OPC修正方法，方法包括：提供致密交错排列的目标层图形及掩模版图形，目标层图形的各边处于掩模版图形所表示的范围内，并能在该范围内自由移动；在基于模型的OPC修正过程中不设置掩模设计规则，使得目标层图形于掩模版图形所表示的范围内自由移动直至达到预期仿真尺寸，并选出目标掩模版图形；对目标掩模版图形进行去角化处理，并对去角化处理后的目标掩模版进行量测以评价其是否违反掩模设计规则，若违反掩模设计规则，则继续进行去角化处理，若未违反掩模设计规则，对目标掩模版进行模型仿真并评价其是否达到目标层图形的预期仿真尺寸。通过本发明解决了现有的OPC修正迭代过程中易违反掩模设计规则的问题。

本发明授权OPC修正方法在权利要求书中公布了：1.一种OPC修正方法，其特征在于，所述方法包括： 提供致密交错排列的目标层图形及掩模版图形，其中，所述目标层图形与所述掩模版图形形状相同，且所述目标层图形的各边处于所述掩模版图形所表示的范围内，并能在该范围内自由移动； 在基于模型的OPC修正过程中不设置掩模设计规则，使得所述目标层图形于所述掩模版图形所表示的范围内自由移动直至达到预期仿真尺寸，并选出目标掩模版图形，其中，所述目标掩模版图形为违反所述掩模设计规则的图形； 对所述目标掩模版图形进行去角化处理，并对去角化处理后的所述目标掩模版进行量测以评价其是否违反所述掩模设计规则，若违反所述掩模设计规则，则继续进行去角化处理，若未违反所述掩模设计规则，对所述目标掩模版进行模型仿真并评价其是否达到所述目标层图形的预期仿真尺寸； 其中，所述掩模设计规则包括掩模解析最小关键尺寸与掩模解析最小间距，所述目标掩模版图形的关键尺寸小于所述掩模解析最小关键尺寸，其间距小于所述掩模解析最小间距即为违反所述掩模设计规则。

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