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龙图腾网获悉清华大学申请的专利磁饱和补偿的磁轭优化方法、装置、设备、介质及程序获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119761088B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410828030.5，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权磁饱和补偿的磁轭优化方法、装置、设备、介质及程序是由李世松;马永超;赵伟;黄松岭;于歆杰设计研发完成，并于2024-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本磁饱和补偿的磁轭优化方法、装置、设备、介质及程序在说明书摘要公布了：本申请涉及电磁装备技术领域，特别涉及一种磁饱和补偿的磁轭优化方法、装置、设备、介质及程序，其中，方法包括：识别潜在的磁饱和区域，以在潜在的磁饱和区域配置至少一个补偿磁体；计算补偿磁体附近磁轭的内部磁感应强度，并判断补偿磁体的多个特性参数与补偿效果是否满足预设相关条件，如果满足则获取与补偿效果相关的关键参数；确定初步磁饱和补偿方案，并对初步磁饱和补偿方案进行迭代优化，直至满足预设迭代停止条件，得到优化后的磁饱和方案。由此，解决了相关技术中，由于永磁体系统的体积较大、系统装配和拆分难度大与磁场均匀性限制，可能导致系统的集成度和便携性降低，维护成本上升，影响测量精度与重复性，降低检测可靠性等问题。

本发明授权磁饱和补偿的磁轭优化方法、装置、设备、介质及程序在权利要求书中公布了：1.一种磁饱和补偿的磁轭优化方法，其特征在于，包括以下步骤： 根据原磁体系统中的磁通量分布识别潜在的磁饱和区域，以在所述潜在的磁饱和区域配置至少一个补偿磁体； 基于预先建立的磁饱和补偿后的磁路模型，计算所述补偿磁体附近磁轭的内部磁感应强度，并结合所述内部磁感应强度判断所述补偿磁体的多个特性参数与补偿效果是否满足预设相关条件，如果满足预设相关条件，则获取与所述补偿效果相关的关键参数； 根据所述磁路模型和所述关键参数确定初步磁饱和补偿方案，并利用有限元仿真技术对所述初步磁饱和补偿方案进行迭代优化，直至满足预设迭代停止条件，得到优化后的磁饱和方案； 其中，所述计算所述补偿磁体附近磁轭的内部磁感应强度，包括：计算主磁体在磁轭中产生的磁感应强度和所述补偿磁体在磁轭中产生的补偿磁感应强度；计算所述磁感应强度与所述补偿磁感应强度的差值，得到所述补偿磁体附近磁轭的所述内部磁感应强度。 其中，所述磁轭的内部磁感应强度的表达式为： 其中，为磁轭的内部磁感应强度，为主磁体在磁轭中产生的磁感应强度，为补偿磁体在磁轭中产生的补偿磁感应强度，为真空的磁导率，为钐钴材料的剩余矫顽力，S为磁轭与磁通方向垂直的截面积大小，为主磁体垂直于极化方向的截面积，h为气隙垂直与磁通方向的截面积，为主磁体沿极化方向的厚度，为漏磁系数，为气隙沿磁通方向的长度，为主磁体垂直于极化方向的截面积，为补偿磁体垂直于极化方向的截面积。

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