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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种AI算力芯片垂直供电结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119786470B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411973349.3，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权一种AI算力芯片垂直供电结构是由王来利;汪念铮;孔航;赵志强;贾立新设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种AI算力芯片垂直供电结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种AI算力芯片垂直供电结构，包括AI算力芯片、硅通孔转接板、有机转接板及低感氮化镓模块；AI算力芯片、硅通孔转接板、有机转接板及低感氮化镓模块自上到下依次分布，有机转接板与硅通孔转接板之间设置有若干输出电容，相邻输出电容设置有第一组焊锡球，有机转接板的下方还设有第一芯片电感及第二芯片电感，其中，第一芯片电感与有机转接板之间、第二芯片电感与有机转接板之间以及低感氮化镓模块与有机转接板之间均设置有第二组焊锡球，该结构能够避免供电回路较长而导致的线路损耗和电压动态振荡幅值较大的问题。

本发明授权一种AI算力芯片垂直供电结构在权利要求书中公布了：1.一种AI算力芯片垂直供电结构，其特征在于，包括AI算力芯片204、硅通孔转接板208、有机转接板205及低感氮化镓模块200； AI算力芯片204、硅通孔转接板208、有机转接板205及低感氮化镓模块200自上到下依次分布，有机转接板205与硅通孔转接板208之间设置有若干输出电容203，相邻输出电容203设置有第一组焊锡球207，有机转接板205的下方还设有第一芯片电感201及第二芯片电感202，其中，第一芯片电感201与有机转接板205之间、第二芯片电感202与有机转接板205之间以及低感氮化镓模块200与有机转接板205之间均设置有第二组焊锡球207； 所述低感氮化镓模块200包括第四导电层107、第五导电层108及若干解耦电容109； 各解耦电容109的一侧与第四导电层107相连接，各解耦电容109的另一侧与第五导电层108相连接，解耦电容109的下方设置有第一导电层102、第二导电层103、第三导电层104、第一氮化镓器件100及第二氮化镓器件101，其中，第一导电层102、第二导电层103及第三导电层104依次分布，且位于同一平面内，第一氮化镓器件100的一侧与第三导电层104相连接，第一氮化镓器件100的另一侧与第二导电层103相连接，第二氮化镓器件101的一侧与第二导电层103相连接，第二氮化镓器件101的另一侧与第一导电层102相连接； 第一导电层102的一侧为第一梳齿状结构，第二导电层103的一侧为第二梳齿状结构，第二导电层103的另一侧为第三梳齿状结构，第三导电层104的一侧为第四梳齿状结构，所述第一梳齿状结构中的各梳齿与第二梳齿状结构中的各梳齿依次交错分布，第三梳齿状结构中的各梳齿与第四梳齿状结构中的各梳齿依次交错分布； 还包括若干第一过孔105及若干第二过孔106，一个解耦电容109对应第一梳齿状结构中的一个梳齿、第四梳齿状结构中的一个梳齿、一个第一过孔105及一个第二过孔106，其中，各解耦电容109的一侧经对应第一过孔105与第一梳齿状结构中的对应梳齿相连接，各解耦电容109的另一侧经对应第二过孔106与第四梳齿装结构中的对应梳齿相连接。

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