深圳砺芯半导体有限责任公司朱小安获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳砺芯半导体有限责任公司申请的专利一种高压衬底选择电路及充电装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119787534B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411725062.9,技术领域涉及:H02J7/00;该发明授权一种高压衬底选择电路及充电装置是由朱小安;何国军;张鼎;梁育;邵宇;谭雨亭设计研发完成,并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高压衬底选择电路及充电装置在说明书摘要公布了:本发明提供了一种高压衬底选择电路及充电装置,高压衬底选择电路包括充电功率管、充电判断电路和衬底电压切换电路,其中,充电判断电路通过VCC电压和VBAT电压的电压状态判断电路充电状态,并且,电路充电状态为VCC电压未接入或VCC电压低于VBAT电压时,充电判断电路输出的使能信号为低电平信号,以使充电功率管衬底电压bulk电压等于VBAT电压,衬底电压切换电路的第一切换电路输出端输出第一电压,且第一电压为VBAT电压,从而完成电压切换并关闭充电功能,衬底电压切换电路输出VBAT电压,实现了电路充电状态为VCC电压未接入或VCC电压低于VBAT电压时的正常放电需求,避免电压倒灌的情况。
本发明授权一种高压衬底选择电路及充电装置在权利要求书中公布了:1.一种高压衬底选择电路,其特征在于,包括: 充电功率管,所述充电功率管的源极连接VBAT电压,所述充电功率管的漏极连接VCC电压,所述充电功率管的栅极连接使能信号,所述充电功率管衬底连接衬底电压; 充电判断电路,所述充电判断电路包括连接VBAT电压的第一判断电路输入端,连接VCC电压的第二判断电路输入端、连接外部电源的第三判断电路输入端和第四判断电路输入端、所述充电判断电路输出所述使能信号;所述充电判断电路包括:第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第一电阻、第二电阻、驱动器和施密特触发器; 所述第一NMOS管的源极接地,所述第一NMOS管的漏极接入电流,所述第一NMOS管的栅极与所述第二NMOS管的栅极连接,所述第二NMOS管的源极接地,所述第二NMOS管的漏极与所述第三NMOS管的源极连接,所述第三NMOS管的漏极与第六PMOS管的源极连接,所述第三NMOS管的栅极连接外部电源; 所述第六PMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极连接,所述第二PMOS管的漏极与所述第二PMOS管的栅极连接,所述第二PMOS管的栅极还与第三PMOS管的栅极连接,所述第二PMOS管的源极以及所述第三PMOS的源极与所述第一电阻的一端连接,所述第一电阻的另一端连接VBAT电压,所述第三PMOS管的漏极与第八NMOS管的漏极连接; 所述第六PMOS管的栅极与所述第七PMOS管的栅极连接,所述第六PMOS管的源极还与所述第七PMOS管的源极连接,所述第六PMOS管的栅极以及所述第七PMOS管的栅极还与所述第六PMOS管的源极及所述第七PMOS管的源极连接; 所述第七PMOS管的漏极与所述第四PMOS管的漏极连接,所述第四PMOS管的栅极与漏极连接,所述第四PMOS管的栅极还与所述第五PMOS管的栅极连接,所述第四PMOS管的源极以及所述第五PMOS管的源极与所述第二电阻的一端连接,所述第二电阻的另一端连接VCC电压; 所述第五PMOS管的漏极与第四NMOS管的漏极连接,所述第四NMOS管的栅极连接外部电源,所述第四NMOS管的源极与所述第五NMOS管的漏极、所述第六NMOS管的栅极、所述第七NMOS管的栅极以及所述第八NMOS管的栅极连接,所述第五NMOS管的源极与所述第六NMOS管的漏极连接,所述第六NMOS管的源极接地,所述第五NMOS管的栅极连接驱动器的一端,所述驱动器的另一端与施密特触发器的输入端连接;所述第四NMOS管的源极还与所述第七NMOS管的漏极连接,所述第七NMOS管的源极接地,所述第七NMOS管的栅极与所述第八NMOS管的栅极连接,所述第八NMOS管的源极接地,所述第八NMOS管的漏极和所述第三PMOS管的漏极与施密特触发器的输入端连接; 衬底电压切换电路,所述衬底电压切换电路包括连接使能信号的第一切换电路输入端、连接衬底电压的第二切换电路输入端、输出第一电压的第一切换电路输出端; 所述充电判断电路通过所述VCC电压和所述VBAT电压判断电路充电状态,并且,所述电路充电状态为VCC电压未接入或VCC电压低于VBAT电压时,所述充电判断电路输出的使能信号为低电平信号,以使所述充电功率管衬底连接的衬底电压等于所述VBAT电压,所述衬底电压切换电路的第一切换电路输出端输出第一电压,所述第一电压为所述VBAT电压。
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