宁波江丰电子材料股份有限公司姚力军获国家专利权
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龙图腾网获悉宁波江丰电子材料股份有限公司申请的专利一种氮化硅靶材及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119822850B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510101614.7，技术领域涉及：C04B35/584；该发明授权一种氮化硅靶材及其制备方法是由姚力军;王佳乾;杨慧珍;廖培君设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化硅靶材及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种氮化硅靶材及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：将氮化硅粉末进行冷等静压，然后进行分段温度的热压烧结，得到氮化硅靶材。本发明提供的制备方法将冷等静压和分段温度的热压烧结结合，通过合理调控热压烧结过程，实现氮化硅靶材的致密化，而无需添加烧结助剂，所得氮化硅靶材的纯度高、致密度高，加工性能优异，可满足靶材使用要求。
本发明授权一种氮化硅靶材及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化硅靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤： 1将纯度为99.9-99.99%、D50粒径为1.0-1.2μm的氮化硅粉末装入模具进行冷等静压，冷等静压的压强为200-250MPa，冷等静压的时间为20-30min，得到靶坯； 2将步骤1所得靶坯放入模具，放入烧结设备中进行烧结，烧结设备内维持氮气气氛，先以10-15℃min的升温速率升温至1500-1600℃，开始加压，以0.2-0.5Tmin的加压速率加压至40-60T后保压，同时，在1500-1600℃温度下保温1-1.5h后，以3-6℃min的速率升温至1700-1800℃，保温2-4h，再以2-4℃min的降温速率降温至1200-1300℃，保温1-2h，结束保温保压，得到氮化硅靶材。
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