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龙图腾网获悉强茂股份有限公司申请的专利可减少气泡产生的封装元件及其制法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119835865B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311319659.9，技术领域涉及：H05K1/18；该发明授权可减少气泡产生的封装元件及其制法是由何中雄;李季学;陈威廷设计研发完成，并于2023-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本可减少气泡产生的封装元件及其制法在说明书摘要公布了：本发明提出一种可减少气泡产生的封装元件及其制法，该封装元件的制作方法是将一复合基板的一容置空间及至少一个导通孔通过一塑封层填满，再于该塑封层上形成一重布线层、一顶面保护层，以及在该复合基板的底面形成一底面保护层；其中，该塑封层中包覆有一支撑层，该支撑层能使该复合基板与该重布线层之间维持有足够厚度的该塑封层，进而能降低该封装元件作用时发生电弧击穿的状况；且在该封装元件的制作上，因为提供足量该塑封层的材料，减少该容置空间及该至少一个导通孔中出现气泡，克服因为气泡引起的产品可靠度的问题。

本发明授权可减少气泡产生的封装元件及其制法在权利要求书中公布了：1.一种可减少气泡产生的封装元件，其特征在于，包括： 一复合基板，所述复合基板的上表面及下表面分别具有一上导电层和一下导电层，所述复合基板具有一容置空间； 至少一个导通孔，形成于所述复合基板中且电性连接于所述上导电层和所述下导电层； 一晶粒，设置于所述容置空间中，所述晶粒具有相对的一第一表面及一第二表面； 一塑封层，覆盖于所述复合基板上且填充于至少一个所述导通孔的内部及所述容置空间内以包覆所述晶粒； 一支撑层，埋覆于所述塑封层之中且位于所述上导电层的上方，所述支撑层的厚度至少具有10微米，其中，所述支撑层的底面至所述上导电层之间的所述塑封层定义为一第一间隔层，所述支撑层的顶面至所述塑封层的顶面之间的所述塑封层定义为一第二间隔层，所述第一间隔层的厚度及所述第二间隔层的厚度分别至少具有5微米；以及 一重布线层，设置在所述塑封层上，所述重布线层电性连接于所述晶粒的所述第一表面和所述上导电层； 其中，所述塑封层由一第一绝缘片及一第二绝缘片层压形成，所述第二绝缘片的内部包括有所述支撑层；所述第一绝缘片及所述第二绝缘片受热熔化而呈半固化性，进而流入并填充于所述导通孔的内部及所述容置空间内。

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