上海华力集成电路制造有限公司张驰获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利光刻机台间套刻精度差异的预补偿方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119861535B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510008420.2，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权光刻机台间套刻精度差异的预补偿方法是由张驰;赵弘文;林关强设计研发完成，并于2025-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本光刻机台间套刻精度差异的预补偿方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种光刻机台间套刻精度差异的预补偿方法，包括：步骤一，根据当前批次晶圆的当前层和前一层的材料属性和功能属性，获取相对该前一层转机对该当前层实施光刻的套刻精度历史数据；步骤二，在所述历史数据中扣除相对该前一层用同一光刻机对该当前层实施光刻时采用的套刻精度补偿数据，提取光刻机台间套刻精度的特征差异；步骤三，根据光刻机台间套刻精度的特征差异，结合对该前一层实施光刻的工艺相关信息和用同一光刻机对前一批次晶圆中所有晶圆的该当前层实施光刻的工艺相关信息，测算相对该前一层转机对该当前层实施光刻所需的套刻精度补偿数据。提高光刻机台混跑的成功率，减少转机所需的试跑和返工，提升光刻机台产能。
本发明授权光刻机台间套刻精度差异的预补偿方法在权利要求书中公布了：1.一种光刻机台间套刻精度差异的预补偿方法，其特征在于，所述方法包括： 步骤一，根据当前批次晶圆的当前层和前一层的材料属性和功能属性，获取相对所述前一层转机对所述当前层实施光刻的套刻精度历史数据； 步骤二，在所述历史数据中扣除相对所述前一层用同一光刻机对所述当前层实施光刻时采用的套刻精度补偿数据，提取光刻机台间套刻精度的特征差异； 步骤三，根据所述光刻机台间套刻精度的特征差异，结合对所述前一层实施光刻的工艺相关信息和用同一光刻机对前一批次晶圆中所有晶圆的所述当前层实施光刻的工艺相关信息，测算相对所述前一层转机对所述当前层实施光刻所需的套刻精度补偿数据。
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