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龙图腾网获悉清华大学申请的专利晶圆良率影响因素分析方法和装置、电子设备与存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119886564B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510065481.2，技术领域涉及：G06Q10/063；该发明授权晶圆良率影响因素分析方法和装置、电子设备与存储介质是由李钢江;张悠慧设计研发完成，并于2025-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆良率影响因素分析方法和装置、电子设备与存储介质在说明书摘要公布了：本公开涉及晶圆良率影响因素分析方法和装置、电子设备与存储介质，所述方法包括：获取晶圆制造设备制造的批量晶圆的良率数据以及设备数据；根据批量晶圆的良率数据以及设备数据，确定产生低良率晶圆的关键腔室以及关键腔室内所制造的晶圆集合；根据关键腔室内所制造的晶圆集合中每个晶圆的良率以及制造每个晶圆时的多个运行参数的参数值，确定晶圆制造设备对晶圆良率的影响因素分析结果，所述影响因素分析结果包括所述关键腔室中导致低良率晶圆的关键运行参数以及关键运行参数对应的参数阈值，所述参数阈值表征产生低良率晶圆的参数值界限。由此，能够快速且准确地定位影响良率的关键腔室与关键运行参数，从而有利于制定相应的改进措施。

本发明授权晶圆良率影响因素分析方法和装置、电子设备与存储介质在权利要求书中公布了：1.一种晶圆良率影响因素分析方法，其特征在于，包括： 获取晶圆制造设备制造的批量晶圆的良率数据以及设备数据，其中，所述晶圆制造设备包括多个用于制造晶圆的腔室，所述良率数据包括所述批量晶圆中每个晶圆的良率，所述设备数据包括所述批量晶圆中每个晶圆制造时所在的腔室以及腔室的运行参数集，所述运行参数集包括在腔室内制造晶圆时的多个运行参数的参数值； 根据所述批量晶圆的良率数据以及设备数据，确定产生低良率晶圆的关键腔室以及所述关键腔室内所制造的晶圆集合，所述低良率晶圆为良率低于第一阈值的晶圆； 根据所述关键腔室内所制造的晶圆集合中每个晶圆的良率以及制造每个晶圆时的多个运行参数的参数值，确定所述晶圆制造设备对晶圆良率的影响因素分析结果，所述影响因素分析结果包括所述关键腔室中导致低良率晶圆的关键运行参数以及关键运行参数对应的参数阈值，所述参数阈值表征产生低良率晶圆的参数值界限； 其中，所述根据所述关键腔室内所制造的晶圆集合中每个晶圆的良率以及制造每个晶圆时的多个运行参数的参数值，确定所述晶圆制造设备对晶圆良率的影响因素分析结果，包括： 使用第一分析算法根据所述关键腔室内所制造的晶圆集合中每个晶圆的良率以及制造每个晶圆时的多个运行参数的参数值，确定第一分析结果，所述第一分析结果包括所述关键腔室中导致低良率晶圆的第一运行参数以及所述第一运行参数对应的参数阈值； 使用第二分析算法根据所述关键腔室内所制造的晶圆集合中每个晶圆的良率以及制造每个晶圆时的多个运行参数的参数值，确定第二分析结果，所述第二分析结果包括所述关键腔室中导致低良率晶圆的第二运行参数以及所述第二运行参数对晶圆良率的影响程度； 根据所述第一分析结果与所述第二分析结果，确定所述晶圆制造设备对晶圆良率的影响因素分析结果； 其中，所述第二运行参数与所述第一运行参数相同或部分相同，所述影响因素分析结果还包括所述关键腔室中导致低良率晶圆的关键运行参数对晶圆良率的影响程度和或按照影响程度对关键运行参数进行排序的结果，所述第一分析算法包括决策树算法，所述第二分析算法包括T检测算法。

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