买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉湘能华磊光电股份有限公司申请的专利提升亮度的发光二极管制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119907374B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411817517.X，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权提升亮度的发光二极管制备方法是由徐平;许亚兵;季辉;周佐华设计研发完成，并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本提升亮度的发光二极管制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种提升亮度的发光二极管制备方法，依次包含：对衬底进行脱附处理、在衬底上生长AlN缓冲层、u‑GaN层、Si重掺杂n‑GaN层、Si轻掺杂n‑GaN层、InGaNGaN应力调节层、多量子阱层、AIGaN层、Mg掺杂p‑GaN层以及重掺杂p‑GaN接触层。本申请通过在多量子阱层内部形成Ag纳米颗粒和空气腔结构，利用Ag纳米颗粒产生的局域表面等离子体频率与多量子阱进行有效耦合，进而实现LED发光效率的增强，同时利用空气腔对光子的折射和反射改变多量子阱产生的光子的传播路径，进一步提升发光效率。

本发明授权提升亮度的发光二极管制备方法在权利要求书中公布了：1.一种提升亮度的发光二极管制备方法，其特征包含以下步骤： 步骤一、将衬底片放入MOCVD反应室中进行脱附处理； 步骤二、在衬底片上依次生长AlN缓冲层、u-GaN层、Si重掺杂n-GaN层、Si轻掺杂n-GaN层； 步骤三、在Si轻掺杂n-GaN层上生长InGaNGaN应力调节层，生长过程中控制In原子摩尔含量渐变减少，以减少材料生长过程中的应力； 步骤四，在InGaNGaN应力调节层上生长多量子阱层； 步骤五，将生长有多量子阱层的衬底片从MOCVD反应室中取出，首先通过光刻工艺在多量子阱层表面上形成圆形图案，再通过ICP刻蚀工艺对光刻后的图形进行刻蚀，以在多量子阱层上形成孔洞； 步骤六、在多量子阱层上的孔洞中填充Ag纳米颗粒，并且控制孔洞上方未被Ag纳米颗粒填充的部分的体积为孔洞总体积的三分之一至二分之一之间，具体为： 采用旋涂法将Ag纳米颗粒填充进孔洞当中，并使Ag纳米颗粒附着在孔洞侧壁上与多量子阱进行无距离接触，然后使用酒精棉签对多量子阱层的表面进行擦拭，确保没有残余的Ag纳米颗粒留在多量子阱层表面，并且孔洞当中的Ag纳米颗粒得以有效保留，以减少光输出的损耗； 步骤七、在内部形成有孔洞的多量子阱层上面生长AIGaN层，生长过程中控制横向生长速度大于竖向生长速度将孔洞掩埋在多量子阱层内部，以实现AIGaN层的快速合并，从而在多量子阱层内部形成空气腔； 步骤八、在AIGaN层上面依次生长Mg掺杂p-GaN层、重掺杂p-GaN接触层，形成内部具有Ag纳米颗粒和空气腔的发光二极管，提升发光效率。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湘能华磊光电股份有限公司，其通讯地址为：423038 湖南省郴州市白露塘有色金属产业园；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。