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广东工业大学章国豪获国家专利权

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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种适用于高温条件的超低功耗带启动电路的带隙基准电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119937709B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510150696.4,技术领域涉及:G05F1/56;该发明授权一种适用于高温条件的超低功耗带启动电路的带隙基准电路是由章国豪;柯诗慧;蓝亮;张志浩设计研发完成,并于2025-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。

一种适用于高温条件的超低功耗带启动电路的带隙基准电路在说明书摘要公布了:本发明公开了一种适用于高温条件的超低功耗带启动电路的带隙基准电路,包括:控制电路模块、启动核心电路单元、漏电补偿电路单元和带隙基准电路模块;控制电路模块用于基于使能信号建立启动标识信号;启动核心电路单元用于根据启动标识信号向带隙基准电路模块提供启动临时电流,使得带隙基准电路模块摆脱零电流的简并电状态;漏电补偿电路单元用于当启动核心电路单元存在漏电情况时,生成相应的镜像漏电电流,保持带隙基准电路模块的平衡状态;带隙基准电路模块用于基于输入电源和启动标识信号,生成并输出基准电压。本发明中,通过启动核心电路单元和漏电补偿电路单元能保证超低功耗带隙基准能够在高温时正常启动且保持良好的工作性能。

本发明授权一种适用于高温条件的超低功耗带启动电路的带隙基准电路在权利要求书中公布了:1.一种适用于高温条件的超低功耗带启动电路的带隙基准电路,其特征在于,包括:控制电路模块、启动电路模块和带隙基准电路模块;所述启动电路模块由启动核心电路单元和漏电补偿电路单元组成; 所述控制电路模块与所述启动电路模块相连接,用于基于使能信号建立启动核心电路单元的启动标识信号,并将所述启动标识信号发送至所述启动核心电路单元; 所述启动核心电路单元与所述带隙基准电路模块相连接,用于根据所述启动标识信号向所述带隙基准电路模块提供启动临时电流,使得所述带隙基准电路模块摆脱零电流的简并电状态; 所述漏电补偿电路单元分别连接所述启动电路模块和所述带隙基准电路模块,用于当启动核心电路单元存在漏电情况时,生成相应的镜像漏电电流,从而保持带隙基准电路模块的平衡状态; 所述带隙基准电路模块,用于基于输入电源和所述启动标识信号,生成并输出基准电压; 所述启动核心电路单元由PMOS管Mp2、NMOS管Mn1和NMOS管Mn2组成; 所述PMOS管Mp2的栅极分别连接所述NMOS管Mn1的栅极和所述带隙基准电路模块的第一端,所述PMOS管Mp2的漏极与所述控制电路模块的第一端相连接,所述PMOS管Mp2的源极分别连接所述控制电路模块的第二端、所述NMOS管Mn1的漏极和所述NMOS管Mn2的栅极; 所述NMOS管Mn1的栅极与所述带隙基准电路模块的第一端相连接,所述NMOS管Mn1的漏极分别连接所述NMOS管Mn2的栅极和所述控制电路模块的第二端,所述NMOS管Mn1的源极接地; 所述NMOS管Mn2的栅极分别连接所述控制电路模块的第二端和所述漏电补偿电路单元的第一端,所述NMOS管Mn2的漏极与所述带隙基准电路模块的第二端相连接,所述NMOS管Mn2的源极接地; 所述漏电补偿电路单元包括NMOS管Mn3和电阻Res2; 所述NMOS管Mn3的漏极与所述电阻Res2的一端相连接,所述NMOS管Mn3的源极接地; 所述电阻Res2的另一端与所述带隙基准电路模块的第三端相连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人广东工业大学,其通讯地址为:510080 广东省广州市越秀区东风东路729号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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