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龙图腾网获悉华天慧创科技(西安)有限公司申请的专利一种清洁刻蚀腔室的灰化-清洁方法以及一种电感耦合等离子体刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119943640B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510115872.0，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种清洁刻蚀腔室的灰化-清洁方法以及一种电感耦合等离子体刻蚀方法是由陈志麒;白星星;侯洋昆;周家琦;袁万利设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种清洁刻蚀腔室的灰化-清洁方法以及一种电感耦合等离子体刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种清洁刻蚀腔室的灰化‑清洁方法以及一种电感耦合等离子体刻蚀方法。本发明采用第一含氧混合气体离化后对刻蚀腔室进行第一清洁，所述第一含氧混合气体包括氟基气体；采用第二含氧混合气体离化后对刻蚀腔室进行第二清洁；采用第三含氧混合气体离化后对刻蚀腔室进行第三清洁。本发明进行分步清洁，可显著提高腔室清洁度。有效增强了刻蚀工艺腔的MTBC，保证刻蚀不同晶圆片的刻蚀腔室的环境一致，刻蚀时晶圆片内各处刻蚀速率、刻蚀厚度及刻蚀时间等工艺参数的一致性，避免因为腔体环境的变化导致刻蚀工艺出现异常情况，影响后续的工艺调试与产品稳定性，显著提高了刻蚀机台利用率。

本发明授权一种清洁刻蚀腔室的灰化-清洁方法以及一种电感耦合等离子体刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种清洁刻蚀腔室的灰化-清洁方法，其特征在于，包括以下步骤： 1采用第一含氧混合气体离化后对刻蚀腔室进行第一清洁，所述第一含氧混合气体包括惰性气体、氧气和CF4，所述惰性气体、氧气和CF4的体积流量比为1：0.5~2：0.5~2，所述第一清洁的条件包括：腔压为80~100mToor，上电极的功率为1000~1200W，下电极的功率为0W； 2采用第二含氧混合气体离化后对刻蚀腔室进行第二清洁，所述第二含氧混合气体包括惰性气体和氧气，所述惰性气体和氧气的体积流量比为1~3：1~3，所述第二清洁的条件包括：腔压为80~100mToor，上电极的功率为800~1000W，下电极的功率为60~100W； 3采用第三含氧混合气体离化后对刻蚀腔室进行第三清洁，所述第三含氧混合气体包括惰性气体和氧气，所述惰性气体和氧气的体积流量比为1~3：1~3，所述第三清洁的条件包括：腔压为20~50mToor，上电极的功率为800~1000W，下电极的功率为60~100W； 步骤1、步骤2和步骤3没有时间先后顺序的限定。

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