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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种基于晶体管寄生电容补偿相位的MOS衰减器及控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119945379B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510026089.7，技术领域涉及：H03H11/24；该发明授权一种基于晶体管寄生电容补偿相位的MOS衰减器及控制方法是由孟祥雨;赵高远设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于晶体管寄生电容补偿相位的MOS衰减器及控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于晶体管寄生电容补偿相位的MOS衰减器及控制方法，衰减器包括数字逻辑模块、栅极偏置和电容开关模块、衬底电容开关模块、侧边电容模块、射频衰减模块与检测反馈环路模块。方法包括：控制射频衰减模块产生衰减量并与对射频衰减模块在衰减态下的相位误差进行补偿；通过片外差分信号对补偿后的射频衰减模块进行反馈栅极偏置电压调节处理；控制调节后的射频衰减模块在衰减态下的附加相移，对输入端的射频信号进行数控衰减处理。本发明能够减少附加相移增加的程度并降低工艺角的变化对MOS晶体管处于电阻区时源漏电阻的影响。本发明作为一种基于晶体管寄生电容补偿相位的MOS衰减器及控制方法，可广泛应用于CMOS收发机增益控制技术领域。

本发明授权一种基于晶体管寄生电容补偿相位的MOS衰减器及控制方法在权利要求书中公布了：1.一种基于晶体管寄生电容补偿相位的MOS衰减器，其特征在于，包括数字逻辑模块、栅极偏置和电容开关模块、衬底电容开关模块、侧边电容模块、射频衰减模块与检测反馈环路模块，所述数字逻辑模块的第一输出端与所述栅极偏置和电容开关模块的输入端连接，所述数字逻辑模块的第二输出端与所述衬底电容开关模块的输入端连接，所述数字逻辑模块的第三输出端与所述射频衰减模块的第一输入端连接，所述栅极偏置和电容开关模块的输出端与所述侧边电容模块的第一输入端连接，所述侧边电容模块的输出端与所述射频衰减模块的第二输入端连接，所述射频衰减模块的输出端与所述侧边电容模块的第二输入端连接，所述检测反馈环路模块的输出端与所述射频衰减模块的第三输入端连接，其中： 所述数字逻辑模块用于控制所述栅极偏置和电容开关模块、所述衬底电容开关模块与所述射频衰减模块的工作； 所述栅极偏置和电容开关模块用于控制所述射频衰减模块产生不同的衰减量与对所述射频衰减模块在衰减态下的相位误差进行补偿； 所述衬底电容开关模块用于通过切换寄生电容模式对所述射频衰减模块在衰减态下的相位误差进行补偿，所述寄生电容模式包括高通网络模式与低通网络模式； 所述侧边电容模块用于调节所述射频衰减模块在衰减态下的附加相移； 所述射频衰减模块用于对输入端的射频信号进行数控衰减处理，得到删减后的射频信号； 所述检测反馈环路模块用于获取片外差分信号进行调节反馈栅极偏置电压，生成反馈栅极偏置电压信号。

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