河南省科学院半导体研究所周铁获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉河南省科学院半导体研究所申请的专利一种SOT驱动磁化翻转中临界电流密度的降低方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120072144B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510136683.1，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种SOT驱动磁化翻转中临界电流密度的降低方法是由周铁;管志强设计研发完成，并于2025-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SOT驱动磁化翻转中临界电流密度的降低方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SOT驱动磁化翻转中临界电流密度的降低方法，涉及自旋电子学技术领域，包括以下步骤：建立磁性薄膜的结构模型，磁性薄膜为双层结构，在磁性层沿x轴方向对称设有两个缺陷区域，缺陷区域的物理参数值小于磁性层的物理参数值；磁性层与缺陷区域的交界处为畴壁；对结构模型进行微磁学模拟，得到磁畴和畴壁演化过程，基于演化过程确定SOT驱动磁化翻转中的临界电流密度，其中，临界电流密度为驱动畴壁运动的最小电流密度，该临界电流密度产生的SOT有效场为使畴壁从缺陷区域退钉扎所需的最小SOT有效场。本发明可以与现有的微纳电子工艺和材料体系进行兼容。
本发明授权一种SOT驱动磁化翻转中临界电流密度的降低方法在权利要求书中公布了：1.一种SOT驱动磁化翻转中临界电流密度的降低方法，其特征在于，包括以下步骤： 建立磁性薄膜的结构模型，所述磁性薄膜为双层结构，其中，下层为用于提供自旋轨道转矩SOT的重金属层，上层为用于产生磁化翻转的磁性层；在磁性层沿x轴方向对称设有两个缺陷区域，缺陷区域的物理参数值小于磁性层的物理参数值；磁性层与缺陷区域的交界处为畴壁；所述磁性层在-面的截面为楔形结构，高沿轴方向倾斜；所述磁性层的材料为CoPt，重金属层的材料为Pt；所述结构模型的长为1024nm，宽为128nm，每个缺陷区域的面积为8nm×8nm，缺陷位置距离中心位置64nm； 对结构模型进行微磁学模拟，得到磁畴和畴壁演化过程，基于演化过程确定SOT驱动磁化翻转中的临界电流密度，其中，临界电流密度为驱动畴壁运动的最小电流密度，该临界电流密度产生的SOT有效场为使畴壁从缺陷区域退钉扎所需的最小SOT有效场。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人河南省科学院半导体研究所，其通讯地址为：460000 河南省郑州市郑东新区崇实里228号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励