西安交通大学田振寰获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利基于双层超构光栅结构的线偏振发光二极管及制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120076517B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510212496.7，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权基于双层超构光栅结构的线偏振发光二极管及制备工艺是由田振寰;王旭正;云峰;李峰;张佳栋;朱建;裴书恒;吴嘉豪;李小平;刘甫;白鸣涛;许创铖;李琨设计研发完成，并于2025-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于双层超构光栅结构的线偏振发光二极管及制备工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于双层超构光栅结构的线偏振发光二极管及制备工艺，包括：LED外延片，其包括由下至上依次设置的衬底、无掺杂外延层、n型外延层、量子阱层和p型外延层；金属复合超构光栅层，其包括设置于衬底下表面的树脂光栅层，以及覆盖在所述树脂光栅层上的第一金属层；金属介质复合超构光栅层，其包括设置于所述p型外延层上表面的p型外延光栅层，以及覆盖在所述p型外延光栅层上的第二金属层。本发明既能实现偏振发射，又能高效回收损耗的模式能量，在保证器件的偏振消光比的同时降低能量损失，实现LED的高效偏振发射。
本发明授权基于双层超构光栅结构的线偏振发光二极管及制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种基于双层超构光栅结构的线偏振发光二极管，其特征在于，包括： LED外延片，其包括由下至上依次设置的衬底2、无掺杂外延层3、n型外延层4、量子阱层5和p型外延层6； 金属复合超构光栅层1，其包括设置于衬底2下表面的树脂光栅层9，以及覆盖在所述树脂光栅层9上的第一金属层8； 金属介质复合超构光栅层7，其包括设置于所述p型外延层6上表面的p型外延光栅层10，以及覆盖在所述p型外延光栅层10上的第二金属层11。
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