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龙图腾网获悉深圳市惠存半导体有限公司申请的专利一种提升RAM读写性能的方法、电子设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120179170B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510256706.2，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权一种提升RAM读写性能的方法、电子设备及介质是由唐明星;赖辰辰;罗锡彦;李天文设计研发完成，并于2025-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提升RAM读写性能的方法、电子设备及介质在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种提升RAM读写性能的方法、电子设备及介质，该方法包括：获取RAM的目标环境参数；获取当前时刻的RAM的当前读写速率；获取与目标环境参数对应的参考读写速率；在当前读写速率小于参考读写速率时，确定RAM的第一内存使用参数，第一内存使用参数包括第一总内存使用量和预设时间段内各个进程内存占用的第一内存变化监控数据，预设时间段为当前时刻之间预设时长的一个时间段；第一总内存使用量为当前时刻对应的RAM的总内存使用量；根据第一总内存使用量和第一内存变化监控数据识别a个异常进程；限制a个异常进程中的b个异常进程，以提升RAM的读写性能。采用本申请实施例能够智能化提升RAM的读写性能。

本发明授权一种提升RAM读写性能的方法、电子设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种提升RAM读写性能的方法，其特征在于，应用于电子设备，所述电子设备包括RAM，所述方法包括： 获取所述RAM的目标环境参数； 获取当前时刻的所述RAM的当前读写速率； 获取与所述目标环境参数对应的参考读写速率； 在所述当前读写速率小于所述参考读写速率时，确定所述RAM的第一内存使用参数，所述第一内存使用参数包括第一总内存使用量和预设时间段内各个进程内存占用的第一内存变化监控数据，所述预设时间段为所述当前时刻之间预设时长的一个时间段；所述第一总内存使用量为所述当前时刻对应的所述RAM的总内存使用量； 根据所述第一总内存使用量和所述第一内存变化监控数据识别a个异常进程，a为正整数； 限制所述a个异常进程中的b个异常进程，以提升所述RAM的读写性能，所述b为小于或等于所述a的正整数； 所述目标环境参数包括第一硬件环境参数、第一软件环境参数和所述RAM的第一外部环境参数；所述获取与所述目标环境参数对应的参考读写速率，包括： 确定与所述第一硬件环境参数对应的第一参考读写速率； 确定与所述第一软件环境参数对应的第一调节参数； 确定与所述第一外部环境参数对应的第一微调参数； 根据所述第一调节参数、所述第一微调参数对所述第一参考读写速率进行调节，得到所述参考读写速率。

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