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龙图腾网获悉芯峰科技(广州)有限公司;芯峰电子科技(广州)有限公司;芯峰科技(嘉兴)有限公司申请的专利一种防误触发的静电放电箝位电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120237606B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510719242.4，技术领域涉及：H02H9/04；该发明授权一种防误触发的静电放电箝位电路是由杨兆年;魏立耀;张伟;刘俊杰;张佳;钟宇设计研发完成，并于2025-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种防误触发的静电放电箝位电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种防误触发的静电放电箝位电路，属于集成电路静电放电保护技术领域，包括控制晶体管、PMOS电流镜电阻支路、NMOS电流镜电容支路、反相器和箝位晶体管；通过反馈控制和分压设计，使得由PMOS电流镜电阻支路和NMOS电流镜电容支路构成的RC结构在静电放电事件与正常上电或快速上电时具有不同的RC时常数，具有良好的防误触发特性；本发明还通过两组电流镜结构对小电容和小电阻实现放大，基于等效大电阻和大电容，大幅减小了电阻和电容所需占据的版图面积。本发明解决了现有集成电路中静电放电箝位管容易误触发和电阻电容占据较大版图面积的问题。

本发明授权一种防误触发的静电放电箝位电路在权利要求书中公布了：1.一种防误触发的静电放电箝位电路，其特征在于，包括控制晶体管、PMOS电流镜电阻支路、NMOS电流镜电容支路、反相器和箝位晶体管； 所述控制晶体管分别与PMOS电流镜电阻支路、NMOS电流镜电容支路和反相器连接，并外接电源电压VDD；所述PMOS电流镜电阻支路分别与NMOS电流镜电容支路和反相器连接，并分别外接电源电压VDD和地电平VSS；所述PMOS电流镜电阻支路与NMOS电流镜电容支路构成RC结构；所述NMOS电流镜电容支路与反相器连接，并外接地电平VSS；所述反相器与箝位晶体管连接，并分别外接电源电压VDD和地电平VSS；所述箝位晶体管分别外接电源电压VDD和地电平VSS； 所述控制晶体管采用反馈控制的PMOS晶体管Mp0，作为PMOS电流镜电阻支路的开关晶体管，同时作为正常上电和快速上电的分压晶体管； 所述PMOS晶体管Mp0的源极和衬底均外接电源电压VDD；所述PMOS晶体管Mp0的栅极分别与PMOS电流镜电阻支路和NMOS电流镜电容支路连接，以用于接收RC结构的检测信号VRC，形成反馈结构；所述PMOS晶体管Mp0的漏极与PMOS电流镜电阻支路连接； 所述PMOS电流镜电阻支路包括PMOS晶体管Mp1、PMOS晶体管Mp2和电阻R； 所述PMOS晶体管Mp1的衬底外接电源电压VDD；所述PMOS晶体管Mp1的源极与PMOS晶体管Mp0的漏极连接；所述PMOS晶体管Mp1的栅极分别与漏极、电阻R的一端和PMOS晶体管Mp2的栅极连接；所述电阻R的另一端外接地电平VSS；所述PMOS晶体管Mp2的源极和衬底均外接电源电压VDD；所述PMOS晶体管Mp2的漏极与NMOS电流镜电容支路连接，以用于生成RC结构的检测信号VRC； 所述NMOS电流镜电容支路包括电容接法的PMOS晶体管Mp3、NMOS晶体管Mn0和NMOS晶体管Mn1； 所述PMOS晶体管Mp3的源极分别与漏极、衬底、PMOS晶体管Mp2的漏极、PMOS晶体管Mp0的栅极、NMOS晶体管Mn1的漏极和反相器连接，以用于生成RC结构的检测信号VRC；所述PMOS晶体管Mp3的栅极分别与NMOS晶体管Mn1的栅极、NMOS晶体管Mn0的漏极和栅极连接；所述NMOS晶体管Mn0的源极和衬底均外接地电平VSS；所述NMOS晶体管Mn1的源极和衬底均外接地电平VSS。

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