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龙图腾网获悉浙江晶越半导体有限公司申请的专利一种P型碳化硅粉料的合成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120247028B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510740268.7，技术领域涉及：C01B32/984；该发明授权一种P型碳化硅粉料的合成方法是由高冰设计研发完成，并于2025-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种P型碳化硅粉料的合成方法在说明书摘要公布了：发明涉及碳化硅粉料制造技术领域，尤其涉及一种P型碳化硅粉料的合成方法，所述方法包括以下步骤：S.1将硅源与碳源交替分层装填，各硅层表面均匀负载铝基掺杂剂；S.2在第一反应温度区间下以及真空环境中进行第一次碳化反应，生成初级碳化硅；S.3向反应体系中注入惰性气体与氢气的混合保护气，并于第二反应温度区间完成晶型转化和杂质脱除；S.4将合成产物依次经过氧气氧化热处理和酸性溶液清洗，去除表面残留杂质，得到P型碳化硅粉料。本发明通过控制硅源与碳源的混合方式、加热方式以及含有氢气的混合保护气的方案，协同实现高纯度碳化硅晶体的低缺陷生长，使电阻率均匀性偏差以及晶粒尺寸离散度大幅降低，同时工艺效率提升显著。

本发明授权一种P型碳化硅粉料的合成方法在权利要求书中公布了：1.一种P型碳化硅粉料的合成方法，其特征在于，包括以下步骤： S.1将硅源与碳源交替分层装填，各硅层表面均匀负载铝基掺杂剂，从而构造局域化的硅-碳-掺杂剂三元反应界面； S.2在第一反应温度区间下以及真空环境中进行第一次碳化反应，生成初级碳化硅； 步骤S.2中所述第一反应温度区间为1350-1900℃，真空压力≤5.0×10-5Pa，第一次碳化反应时间为10-20小时； S.3向反应体系中注入惰性气体与氢气的混合保护气，所述混合保护气惰性气体与氢气的体积比为30：0.5-2，并于第二反应温度区间完成晶型转化和杂质脱除； 步骤S.3中所述混合保护气在注入时分为两阶段操作： 第一阶段关闭真空泵后充入混合气至压力≥100mbar，第二反应温度区间为1700-1800℃； 第二阶段维持压力恒压升高第二反应温度区间至2000-2200℃； S.4将合成产物依次经过氧气氧化热处理和酸性溶液清洗，去除表面残留杂质，得到P型碳化硅粉料。

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