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龙图腾网获悉锦州精辰半导体有限公司申请的专利半导体晶舟低粗糙度碳化硅涂层的气相沉积装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120400794B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510907645.1，技术领域涉及：C23C16/32；该发明授权半导体晶舟低粗糙度碳化硅涂层的气相沉积装置及方法是由张季明;潘连胜;何翠翠;高雪冬;李庄;韩汀钰;杨睿宁;刘文涛设计研发完成，并于2025-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体晶舟低粗糙度碳化硅涂层的气相沉积装置及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了半导体晶舟低粗糙度碳化硅涂层的气相沉积装置及方法，具体涉及材料表面镀覆处理技术领域，包括反应室和石墨载台，所述反应室的内部安装有承载台，所述反应室的外部固定连接与其内部相通的若干个进气管，所述进气管的一端对称安装有与其内部相通的两个喷气头，其中一个所述喷气头的外部安装有镀覆组件，所述镀覆组件包括套接在喷气头外部的引导管，引导管的一端安装有抵台；本发明通过石墨载台、喷气头和镀覆组件的设置，在镀覆组件与石墨载台之间保持上下倾斜交错状态，使得气流方向与石墨载台的旋转方向一致，且气流稍滞后于石墨载台运动方向，利用追赶效应增强吹扫效率，提升材料碳化硅涂层沉积镀覆质量。

本发明授权半导体晶舟低粗糙度碳化硅涂层的气相沉积装置及方法在权利要求书中公布了：1.半导体晶舟低粗糙度碳化硅涂层的气相沉积装置，包括反应室和石墨载台，所述反应室的内部安装有承载台，所述反应室的外部固定连接与其内部相通的若干个进气管，所述进气管的一端对称安装有与其内部相通的两个喷气头，其特征在于：其中一个所述喷气头的外部安装有镀覆组件，所述镀覆组件包括套接在喷气头外部的引导管，引导管的一端安装有抵台，所述抵台的外部分别安装有与引导管内部相通的若干个引流管和若干个定心筒管，且引流管和定心筒管用于将气流精准吹拂在旋转的石墨载台顶部和底部边缘附近，所述承载台内设置有与石墨载台三点接触的点状分流限组件，所述引流管和定心筒管之间设置有用于引导气流流动的紊乱流组件； 所述抵台的一端中部开设的引流腔，引流腔的内部滑动连接有用于带动定心筒管移动的移动凸柱，且定心筒管通过移动凸柱与引流腔和引导管的内部相通，抵台靠近引流管的一端固定连接有与引流腔内部相通的侧壳，且侧壳的一端设置为弧形结构； 所述引流管的内部固定连接有分流挡板，且分流挡板设置为波纹形结构，引流管的外部开设有与其内部相通的分流口，且分流口和分流挡板用于将引流管内气流向定心筒管的外部引导； 所述紊乱流组件包括安装在抵台一端的导向环架，且导向环架用于将分流口内引出的气流进行导向引导，引流腔的内部开设有滑槽，滑槽的内部固定连接有对称的两个立杆，移动凸柱的外部固定连接有立块，且立块位于滑槽的内部并滑动套接在两个立杆的外部，导向环架靠近抵台的一端固定连接有延伸杆，且延伸杆的一端贯穿滑槽的内部并固定连接在立块一侧，立块与滑槽之间共同连接有复位弹簧，且复位弹簧套设在延伸杆的外部，所述引导管的外部设有将相邻两个喷气头之间产生的气流在定心筒管附近进行分散的原位组件，通过引流腔将引导管内部产生的气流向其内部引导，随即气流与移动凸柱一端的外围处形成抵触，用于推动移动凸柱沿引流腔的内部向受力的方向移动，此时移动凸柱的外部与引流腔的内部凸出部位形成抵触，使得移动凸柱无法在引流腔内继续移动，与此同时，移动凸柱在引流腔内移动的过程中带动立块沿滑槽的内部移动，随即立杆用于对立块在滑槽内导向稳定移动，此时立块移动推动延伸杆同步移动，且复位弹簧在立块和滑槽之间被挤压，并且延伸杆移动推动导向环架沿定心筒管的外部和引流管的底部移动，从而导向环架的外部位于分流口的前端，用于对从分流口流出的气流起到导向作用。

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