晶科能源(海宁)有限公司刘振芳获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉晶科能源(海宁)有限公司申请的专利太阳能电池及其制作方法、叠层电池、光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120417551B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510896926.1，技术领域涉及：H10F77/1223；该发明授权太阳能电池及其制作方法、叠层电池、光伏组件是由刘振芳;夏志鹏;王琴;夏单威;黄纪德;刘长明;张昕宇;金浩设计研发完成，并于2025-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池及其制作方法、叠层电池、光伏组件在说明书摘要公布了：本申请涉及一种太阳能电池及其制作方法、叠层电池、光伏组件，涉及太阳能电池技术领域。太阳能电池采用掺杂锑元素的基底提高多子浓度，优化电池的载流子传输效率，提升电池的填充因子；同时，通过控制第一半导体层中锑元素的浓度大于第二半导体层中锑元素的浓度，优化第一半导体层和第二半导体层的电学性能，能够优化电池的载流子复合速率，同时有利于提升第二半导体层的钝化效果，进一步提升太阳能电池整体的钝化效果。
本发明授权太阳能电池及其制作方法、叠层电池、光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括： 基底，所述基底具有第一导电类型，所述基底中掺杂有锑元素； 第一半导体层，设于所述基底的背面，所述第一半导体层与所述基底的导电类型相同； 第二半导体层，设于所述基底的背面，所述第二半导体层和所述第一半导体层在所述基底的背面交替设置，所述第二半导体层与所述基底的导电类型相反； 所述第一半导体层中锑元素的浓度大于所述第二半导体层中锑元素的浓度； 所述第一半导体层中锑元素的掺杂浓度为1×109cm-3-1×1014cm-3，所述第二半导体层中锑元素的掺杂浓度为1×108cm-3-1×1013cm-3； 所述第一半导体层中掺杂有具有第一导电类型的第一元素，所述第一半导体层中第一元素的掺杂浓度为1×1020cm-3-5×1020cm-3； 所述第二半导体层具有第二导电类型的第二元素，所述第二半导体层中第二元素的掺杂浓度为2×1019cm-3-5×1020cm-3。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶科能源(海宁)有限公司，其通讯地址为：314400 浙江省嘉兴市海宁市黄湾镇安江路118号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励