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龙图腾网获悉深圳市昇维旭技术有限公司申请的专利用于进行失效分析的半导体测试结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120428064B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510922047.1，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权用于进行失效分析的半导体测试结构是由陈煜倩设计研发完成，并于2025-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于进行失效分析的半导体测试结构在说明书摘要公布了：本申请公开一种半导体测试结构，半导体测试结构包括：半导体衬底、位于半导体衬底上的第一导电连接结构、第二导电连接结构和数个测试单元，第一导电连接结构的第一导电连接线与第二导电连接结构的第二导电连接线交错且间隔地布置，以在交错的第一导电连接线与第二导电连接线之间形成交错空间;测试单元的第一极和第二极分别连接于形成对应的交错空间的第一导电连接线和第二导电连接线；还包括设置于测试单元阵列外侧的第一插塞和第二插塞，每个第一插塞电连接对应的第一导电连接线，每个第二插塞电连接对应的第二导电连接线；第一插塞和第二插塞的顶部高度均高于第一导电连接线以及第二导电连接线的顶部。有利于快速锁定失效的测试单元。

本发明授权用于进行失效分析的半导体测试结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括： 半导体衬底； 位于所述半导体衬底上的第一导电连接结构和第二导电连接结构，所述第一导电连接结构包括多条相互平行且水平排布的第一导电连接线，所述第二导电连接结构包括多条相互平行且水平排布的第二导电连接线，所述第一导电连接结构的第一导电连接线与所述第二导电连接结构的第二导电连接线交错且间隔地布置，以在交错的所述第一导电连接线与所述第二导电连接线之间形成交错空间; 位于所述半导体衬底上的数个测试单元，所述数个测试单元水平地阵列排布以构成测试单元阵列，所述测试单元对应于所述交错空间设置，所述测试单元包括第一极和第二极，所述第一极和所述第二极分别连接于形成对应的所述交错空间的所述第一导电连接线和所述第二导电连接线； 设置于所述测试单元阵列外侧且彼此间隔的至少两个第一插塞，每个所述第一插塞对应一条所述第一导电连接线设置，且每个所述第一插塞电连接对应的所述第一导电连接线； 设置于所述测试单元阵列外侧且彼此间隔的至少两个第二插塞，每个所述第二插塞对应一条所述第二导电连接线设置，且每个所述第二插塞电连接对应的所述第二导电连接线； 其中，所述至少两个第一插塞和所述至少两个第二插塞在垂直于所述半导体衬底的表面的方向上的顶部高度均高于至少两条所述第一导电连接线以及至少两条所述第二导电连接线的顶部。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市昇维旭技术有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市龙岗区平湖街道辅城坳社区新源三巷1号B栋104；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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