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龙图腾网获悉洪启集成电路(珠海)有限公司申请的专利一种背照式图像传感器失效分析逐层去层方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120467790B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510439579.X，技术领域涉及：G01N1/28；该发明授权一种背照式图像传感器失效分析逐层去层方法是由武祥海;袁元;张勇为;请求不公布姓名;张启华;陈陆;张文静设计研发完成，并于2025-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种背照式图像传感器失效分析逐层去层方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种背照式图像传感器失效分析逐层去层方法，属于背照式图像传感器技术领域。本发明所述的背照式图像传感器失效分析逐层去层方法，包括以下步骤：先将背照式图像传感器的封装进行去除后，再将得到的背照式图像传感器芯片倒置并通过胶水固定在一晶圆片上开设的芯片容置槽内，再进行平面减薄衬底层、刻蚀、研磨、化学腐蚀等去层技术进行逐层去层工作。本发明的所述背照式图像传感器失效分析逐层去层方法，能够防止在各去层技术中因应力不均匀等因素的影响而导致所述背照式图像传感器芯片中的各层结构受损，确保在去层的同时不破坏关键电路结构，以便于满足后续的监控观察、失效分析。

本发明授权一种背照式图像传感器失效分析逐层去层方法在权利要求书中公布了：1.一种背照式图像传感器失效分析逐层去层方法，其特征在于：包括以下步骤： 1将背照式图像传感器的封装去除，获得背照式图像传感器芯片； 2取一晶圆片，所述晶圆片上开设有芯片容置槽；向所述芯片容置槽中填充胶水，并将所述背照式图像传感器芯片倒置并放入所述芯片容置槽内，烘烤固化，得到样品； 3采用研磨的方法对所述样品进行减薄，使所述背照式图像传感器芯片的衬底层和所述晶圆片一同进行减薄，且减薄后的所述晶圆片的上表面与减薄后的所述衬底层的上表面位于同一平面； 4采用反应离子刻蚀的方法对步骤3后的样品进行刻蚀处理，去除衬底层并暴露出所述背照式图像传感器芯片的一层金属层，且刻蚀后的所述晶圆片的上表面与所述金属层的上表面位于同一平面； 5采用化学腐蚀的方法去除金属层，并采用研磨的方法使所述背照式图像传感器芯片的互连层暴露出来，且研磨后的所述晶圆片的上表面与所述互连层的上表面位于同一平面；采用化学腐蚀的方法去除互连层，并采用研磨的方法使下一层金属层暴露出来，且研磨后的所述晶圆片的上表面与下一层金属层的上表面位于同一平面； 6重复步骤5的方法进行下一层金属层和互连层的逐层去层，直至采用研磨的方法使最后一层互连层暴露出来，且研磨后的所述晶圆片的上表面与最后一层互连层的上表面位于同一平面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人洪启集成电路(珠海)有限公司，其通讯地址为：519088 广东省珠海市高新区唐家湾镇哈工大路1号1栋C106；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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