甬矽半导体(宁波)有限公司徐玉鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉甬矽半导体(宁波)有限公司申请的专利2.5D衬底制作方法和封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120527238B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511014846.5，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权2.5D衬底制作方法和封装结构是由徐玉鹏;何正鸿设计研发完成，并于2025-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本2.5D衬底制作方法和封装结构在说明书摘要公布了：本申请提供的一种2.5D衬底制作方法和封装结构，涉及半导体封装技术领域。该2.5D衬底制作方法包括：提供中介层，其中，中介层内具有导电柱。去除部分中介层以使导电柱部分凸出于中介层的表面。在中介层露出导电柱的一侧形成绝缘层。在绝缘层远离中介层的一侧开设第一凹槽。在绝缘层上形成覆膜层；覆膜层盖住第一凹槽的槽口，以形成第一空腔。在覆膜层上形成设有第一布线层的第一介质层；第一布线层和导电柱电连接。该衬底制作中，通过设置绝缘层和覆膜层对导电柱起到更好的保护作用，防止导电柱在封装过程中的隐裂和损坏。并且形成第一空腔，有利于缓减翘曲，提升散热，起到缓冲作用。
本发明授权2.5D衬底制作方法和封装结构在权利要求书中公布了：1.一种2.5D衬底制作方法，其特征在于，包括： 提供中介层，其中，所述中介层内具有导电柱； 去除部分所述中介层以使所述导电柱部分凸出于所述中介层的表面； 在所述中介层露出所述导电柱的一侧形成绝缘层； 在所述绝缘层远离所述中介层的一侧开设第一凹槽；其中，所述第一凹槽避让所述导电柱； 在所述绝缘层远离所述中介层的一侧形成覆膜层；所述覆膜层盖住所述第一凹槽的槽口，以使所述第一凹槽形成第一空腔；所述第一空腔在所述绝缘层和所述覆膜层之间； 在所述覆膜层远离所述绝缘层的一侧形成第一介质层；所述第一介质层内设有第一布线层，所述第一布线层和所述导电柱电连接。
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