华东理工大学胡冬冬获国家专利权
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龙图腾网获悉华东理工大学申请的专利一种温度驱动-压阻传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120535812B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510771927.3，技术领域涉及：C08J9/12；该发明授权一种温度驱动-压阻传感器及其制备方法是由胡冬冬;赵玲;钱欢;宫政;陈弋翀;高秀鲁设计研发完成，并于2025-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种温度驱动-压阻传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种温度驱动‑压阻传感器及其制备方法，属于发泡材料领域。本发明提供了一种温度驱动‑压阻传感器的制备方法，包括以下步骤：将热塑性弹性体和或可降解的聚酯与聚己内酯进行熔融共混，得到待发泡体；将所述待发泡体置于含有气体发泡剂的环境中依次进行饱和吸附、泄压发泡，得到所述温度驱动‑压阻传感器；所述饱和吸附的温度为Tm‑60℃～Tm，Tm为所述待发泡体的熔点；所述饱和吸附的压力为10～30MPa，所述饱和吸附的时间为d×30～180min，d为所述待发泡体的厚度或待发泡体的粒径，单位为mm；所述泄压发泡的泄压速度为10～300MPas。
本发明授权一种温度驱动-压阻传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种温度驱动-压阻传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 将热塑性弹性体和或可降解的聚酯与聚己内酯进行熔融共混，得到待发泡体；所述热塑性弹性体和或可降解的聚酯的总质量与聚己内酯的质量之比为1.5~6:1 将所述待发泡体置于含有气体发泡剂的环境中依次进行饱和吸附、泄压发泡，得到所述温度驱动-压阻传感器； 所述饱和吸附的温度为Tm-60℃~Tm，Tm为所述待发泡体的熔点；所述饱和吸附的压力为10~30MPa，所述饱和吸附的时间为d×30~180min，d为所述待发泡体的厚度或待发泡体的粒径，单位为mm； 所述泄压发泡的泄压速度为10~300MPas。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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