中国科学院上海微系统与信息技术研究所李伟获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利基于超表面相控选择反射、透射模式的天线及探测系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120566089B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511038763.X,技术领域涉及:H01Q15/00;该发明授权基于超表面相控选择反射、透射模式的天线及探测系统是由李伟;刘森;刘洋;祝晓斌;李娜设计研发完成,并于2025-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于超表面相控选择反射、透射模式的天线及探测系统在说明书摘要公布了:本发明涉及一种基于超表面相控选择反射、透射模式的天线及探测系统。其中,天线包括:PIN尺寸梯度超表面,其PIN尺寸梯度超表面层划分为四个子单元,同一子单元中的梯度金属贴片尺寸大小沿一方向均匀线性增大;相位调控单元,用来获取模式控制信号,并基于采集的接收信号强度生成波束指向控制信号;PIN驱动单元,用来基于模式控制信号控制PIN尺寸梯度超表面置于反射或透射模式,根据波束指向控制信号驱动PIN尺寸梯度超表面调整波束偏转角度。本发明能够提升超表面天线模式选择的灵活性和相位调控的精确性,基于这种天线构建的探测系统具有探测速度快、抗干扰能力强的特点,尤其适用于无人机、卫星等对载荷敏感的场景。
本发明授权基于超表面相控选择反射、透射模式的天线及探测系统在权利要求书中公布了:1.一种基于超表面相控选择反射、透射模式的天线,其特征在于,包括: PIN尺寸梯度超表面,包括依次叠放的PIN尺寸梯度超表面层、第一介质层、信号隔离层、第二介质层和PIN阵列超表面层,其中,PIN尺寸梯度超表面层置于第一介质层的上表面且包括四个PIN尺寸梯度子单元,每个PIN尺寸梯度子单元均匀分布有若干梯度金属贴片,每个梯度金属贴片分别通过PIN二极管与PIN驱动单元电连接,同一PIN尺寸梯度子单元中的梯度金属贴片尺寸大小沿一方向均匀线性增大,PIN阵列超表面层均匀分布有与梯度金属贴片一一对应的缝隙金属贴片,每个缝隙金属贴片分别与对应的缝隙金属贴片连接,并分别通过PIN二极管与PIN驱动单元电连接; 信号强度采集单元,用来采集接收信号强度; 相位调控单元,用来获取模式控制信号,并基于接收信号强度生成波束指向控制信号; PIN驱动单元,用来基于模式控制信号控制PIN尺寸梯度超表面层和PIN阵列超表面层中PIN二极管的开关状态,以使PIN尺寸梯度超表面置于反射或透射模式,并根据波束指向控制信号驱动PIN尺寸梯度超表面调整波束偏转角度。
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