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龙图腾网获悉武汉芯必达微电子有限公司申请的专利一种补偿CAN端口漏电的控制电路及控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120582610B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511081660.1，技术领域涉及：H03K19/003；该发明授权一种补偿CAN端口漏电的控制电路及控制方法是由郑志威设计研发完成，并于2025-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种补偿CAN端口漏电的控制电路及控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种补偿CAN端口漏电的控制电路，包括CAN驱动电路和CAN端口网络，还包括补偿电路，所述补偿电路连接至CAN驱动电路中二极管的阴极，所述补偿电路在检测到二极管阴极电压低于共模电压时注入补偿电流，高于共模电压时断开补偿电流。本发明在显性切换到隐性时，补偿二极管反向恢复电流引起CANH和CANL出现差分电压，从而影响CAN总线位宽对称性的问题，以及显性切换到隐性时，补偿寄生三极管PNP漏电引起共模电平突变，从而导致CAN收发器电磁干扰问题。

本发明授权一种补偿CAN端口漏电的控制电路及控制方法在权利要求书中公布了：1.一种补偿CAN端口漏电的控制电路，包括CAN驱动电路和CAN端口网络，其特征在于，还包括补偿电路，所述补偿电路包括两个补偿支路，分别连接至CAN驱动电路中二极管D1、D2的阴极；所述二极管D1、D2用于防倒灌，其中D1的阳极耦合到电源VCC端口，阴极与CAN总线端口CANH耦合连接，D2的阳极与CAN总线端口CANL连接，阴极耦合到接地端；在检测到二极管D1、D2阴极电压VB1、VB2低于共模电压时，闭合开关，注入补偿电流，高于共模电压时断开补偿电流； 所述补偿支路包括负反馈环路和电压检测支路，所述负反馈环路将参考电压映射到第一电阻上，再经由电流漏将流过第一电阻的电流复制到所有电流漏支路上，利用所述电压检测支路检测二极管的阴极电压； 所述负反馈环路中，运算放大器的正端连接参考电压，输出端连接NMOS管NM11栅端，NMOS管NM11漏端分别连接PMOS管PM11漏端、栅端，运算放大器的负端和NMOS管NM11管的源端均连接到第一电阻，PMOS管PM11和PMOS管PM12、PMOS管PM13、PMOS管PM14一起组成电流漏；其中，PMOS管PM11的漏端和栅端相连且分别PMOS管PM12的栅端和NMOS管NM11的漏端相连；PMOS管PM12的漏端与NMOS管NM12的漏端和栅端相连，栅端与PMOS管PM11的栅端和漏端、PMOS管PM13的栅端以及NMOS管NM11的漏端相连；PMOS管PM13的漏端与NMOS管NM13的漏端相连，栅端分别与PMOS管PM12和PMOS管PM14的栅端相连；PMOS管PM14的漏端与NMOS管NM14的漏端相连；PMOS管PM11~PM14的源端分别与电源相连； 所述电压检测支路由电流镜、防倒灌二极管和第二电阻组成，所述电流镜由NMOS管NM12、NMOS管NM13和NMOS管NM14组成，其中NMOS管NM12的漏端分别与其栅端及PMOS管PM12的漏端相连，栅端还与NMOS管NM13的栅端相连，源端与防倒灌二极管D11的阳极相连，防倒灌二极管D11的阴极与第二电阻的一端相连，第二电阻的另一端接地；NMOS管NM13的漏端连接PMOS管PM13的漏端，源端连接防倒灌二极管D12的阳极，防倒灌二极管D12的阴极与VB1相连；NMOS管NM14的漏端连接PM14的漏端，栅端连接NMOS管NM13的栅端，源端连接防倒灌二极管D13的阳极，防倒灌二极管D13的阴极与VB2相连。

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