甬矽电子(宁波)股份有限公司何正鸿获国家专利权
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龙图腾网获悉甬矽电子(宁波)股份有限公司申请的专利电磁屏蔽制作方法和封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120600645B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511114314.9，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权电磁屏蔽制作方法和封装结构是由何正鸿设计研发完成，并于2025-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本电磁屏蔽制作方法和封装结构在说明书摘要公布了：本申请提供的一种电磁屏蔽制作方法和封装结构，该制作方法包括提供衬底；衬底设有第一焊盘和第二焊盘，第一焊盘接地。第二焊盘用于贴装第一芯片。在衬底形成屏蔽线。其中包括形成第一线弧；形成包覆第一线弧的第一胶体。断开第一线弧，将与第一焊盘相连的第一线弧作为屏蔽线。屏蔽线位于第一芯片的外围。塑封第一芯片形成塑封体。在塑封体上形成与屏蔽线电连接的第一金属层。该制作方法工艺简单，有利于提高屏蔽线制作的可靠性和一致性，提升封装质量，提升电磁屏蔽效果。
本发明授权电磁屏蔽制作方法和封装结构在权利要求书中公布了：1.一种电磁屏蔽制作方法，其特征在于，包括： 提供衬底；所述衬底设有第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘接地；所述第二焊盘用于贴装第一芯片； 在所述衬底上形成屏蔽线；其中，在所述衬底上形成第一线弧；形成包覆所述第一线弧的第一胶体；断开所述第一线弧，将与所述第一焊盘相连的第一线弧作为屏蔽线；所述屏蔽线位于所述第一芯片的外围； 塑封所述第一芯片形成塑封体； 在所述塑封体上形成与所述屏蔽线电连接的第一金属层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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