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龙图腾网获悉上海林众电子科技有限公司申请的专利一种功率模块封装结构及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120637235B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511107900.0，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权一种功率模块封装结构及制作方法是由张昭;张向东;张站旗;方建强设计研发完成，并于2025-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率模块封装结构及制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种功率模块封装结构及制作方法，热敏电阻采用无压银烧结和上铜面电连接，芯片采用有压银烧结和上铜面电连接，热敏电阻的无压银烧结和芯片的有压银烧结同步进行，能够减少工序，降低成本；并且，采用铜桥将不同区域连接并进行电极引出，能够极大程度降低功率模块的尺寸和体积，提升功率密度，降低杂散电感，降低寄生电容，器件的功率循环次数可靠性是传统壳封模块的2倍以上；另外，第三部分上铜面上设置多个芯片并联连接，第四部分上铜面上设置多个芯片并联连接，能够提升过流能力，且并联芯片共用门极线，可以使并联芯片的开关速度一致，芯片均流性能好。

本发明授权一种功率模块封装结构及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种功率模块封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供覆铜陶瓷基板，所述覆铜陶瓷基板包括相对设置的上铜面和下铜面，所述上铜面包括间隔设置的第一部分上铜面、第二部分上铜面、第三部分上铜面和第四部分上铜面； 于所述第一部分上铜面、所述第二部分上铜面、所述第三部分上铜面和所述第四部分上铜面均印刷银膏； 提供热敏电阻和多个芯片，将所述热敏电阻的一端贴于所述第一部分上铜面的银膏上，将所述热敏电阻的另一端贴于所述第二部分上铜面的银膏上，所述芯片包括相对设置的第一面和第二面，所述芯片的第一面设有漏极，所述芯片的第二面设有门极和源极，将至少两个所述芯片的第一面贴于所述第三部分上铜面的银膏上，将至少两个所述芯片的第一面贴于所述第四部分上铜面的银膏上； 将贴有所述热敏电阻和所述芯片的结构放于烧结炉中进行烧结，其中，所述芯片采用有压银烧结，所述热敏电阻采用无压银烧结； 于所述第一部分上铜面、所述第二部分上铜面、所述第三部分上铜面、所述第四部分上铜面及所述芯片的焊接位置设置焊料层； 提供多个铜桥，将所有所述铜桥放置到相对应的焊接位置，进行焊接，其中，所述第三部分上铜面上方的所述芯片并联连接，所述第四部分上铜面上方的所述芯片并联连接，所述第三部分上铜面上方的所述芯片和所述第四部分上铜面上方的所述芯片串联连接； 形成封装层，所述封装层的上表面显露预设位置所述铜桥的上表面，所述封装层的下表面显露所述下铜面。

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